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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動器板加快產(chǎn)品上市時間

發(fā)布時間:2018-3-8 10:16    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: 半橋 , SiC , 功率模塊
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板,在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性,同時減少創(chuàng)建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估板。

•        查看產(chǎn)品頁面、下載數(shù)據(jù)手冊、訂購評估板:http://www.analog.com/EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE

新評估板可用作更復雜拓撲(例如全橋或多電平轉換器)的構建模塊,以便對客戶解決方案進行完整的工作臺調(diào)試。它還可用作最終評估平臺或用在類似轉換器的配置中,以全面測試和評估ADI公司采用iCoupler®數(shù)字隔離技術的ADuM4135隔離柵極驅動器和高功率系統(tǒng)中的LT3999 DC-DC驅動器。

該高功率評估板使得Microsemi的SiC功率模塊能夠提供諸多優(yōu)勢,例如:通用測試臺,提供更高功率密度以縮減尺寸和成本,通過隔離導電襯底和最小寄生電容實現(xiàn)更高的效率、性能和出色的熱管理。這些特性使該評估板適合很多應用,包括電動汽車(EV)充電、混合動力汽車(HEV)/EV車載充電、DC-DC轉換器、開關電源、高功率電機控制和航空作動器系統(tǒng)、等離子/半導體制造設備、激光和焊接、MRI和X光設備。
產(chǎn)品聚焦

•        半橋拓撲
•        1200 V、50 A @ 200 kHz
•        >100 kV/µs CMTI
•        1.2 kV電氣隔離
•        獨立的高端和低端PWM輸入(單一控制,70 ns死區(qū)用于測試)
•        1 LT3999 + 1 ADuM4135(高端和低端)
•        全面測試的去飽和保護
•        用于V+、V-和AC相位連接的低電感和高電流端子
•        支持標準SP1封裝的Microsemi半橋SiC功率模塊,即APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG

報價與供貨
產(chǎn)品供貨起始單價 封裝
EV-MS4135PL1Z-UI請通過電子郵件咨詢工廠:495美元評估板
[url=]RenwBoards@analog.com[/url]


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