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IoT RAM即是物聯(lián)網(wǎng)RAM,是基于PSRAM技術(shù)的技術(shù)，它增加了其他接口選項(xiàng)，例如大多數(shù)MCU/FPGA使用的低引腳數(shù)Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）選項(xiàng)比內(nèi)部SRAM更大的內(nèi)存。 物聯(lián)網(wǎng)ram繼承了PSRAM的積極特性-結(jié)合了一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單的SRAM接口和DRAM存儲(chǔ)單元技術(shù)，該接口簡(jiǎn)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)，與SRAM相比降低了產(chǎn)品成本（降低了10倍），并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時(shí)間；也可以從待機(jī)模式瞬時(shí)喚醒；IoT RAM還允許超低電流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取決于密度。密度越高，固定功率開(kāi)銷趨勢(shì)就越低。 圖1 IoT RAM在需要擴(kuò)展內(nèi)存的IoT/嵌入式應(yīng)用程序中占據(jù)了最佳中間地帶 由于PSRAM解決了與IoT/嵌入式應(yīng)用中類似的設(shè)計(jì)約束，因此可以在功能電話產(chǎn)品中找到一席之地。物聯(lián)網(wǎng)RAM基于PSRAM并通過(guò)低引腳數(shù)SPI或SiP選項(xiàng)進(jìn)行接口，是需要性能，低成本和響應(yīng)性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數(shù)的SPI接口，可以進(jìn)一步提高基于MCU/SoC/FPGA的設(shè)備的系統(tǒng)成本效率。 AP Memory具有成本效益的IoT RAM解決方案與大多數(shù)MCU/SoC/FPGA隨附的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通過(guò)“系統(tǒng)級(jí)封裝”（SiP）選項(xiàng)，AP內(nèi)存啟用了“超越摩爾”，這是增加系統(tǒng)內(nèi)存的另一種方法。業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商AP Memory授權(quán)英尚微電子成為其核心一級(jí)代理商，提供的IoT RAM器件具有高速，低引腳數(shù)接口，它最適合于低功耗和低成本便攜式應(yīng)用。 AP Memory IoT RAM型號(hào)表
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| IoT RAM即是物聯(lián)網(wǎng)RAM,是基于PSRAM技術(shù)的技術(shù)，它增加了其他接口選項(xiàng)，例如大多數(shù)MCU/FPGA使用的低引腳數(shù)Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）選項(xiàng)比內(nèi)部SRAM更大的內(nèi)存。 |
| 物聯(lián)網(wǎng)ram繼承了PSRAM的積極特性-結(jié)合了一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單的SRAM接口和DRAM存儲(chǔ)單元技術(shù)，該接口簡(jiǎn)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)，與SRAM相比降低了產(chǎn)品成本（降低了10倍），并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時(shí)間 |
| 物聯(lián)網(wǎng)RAM基于PSRAM并通過(guò)低引腳數(shù)SPI或SiP選項(xiàng)進(jìn)行接口，是需要性能，低成本和響應(yīng)性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。 |
