PSRAM偽靜態(tài)RAM芯片APS6404L

英尚微電子

PSRAM偽靜態(tài)RAM能結(jié)合SRAM和DRAM的優(yōu)點(diǎn)，即容量大,又接口驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，PSRAM接口和SRAM一樣簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單；而存儲(chǔ)形式則和DRAM一樣，容量遠(yuǎn)大于SRAM，介于SRAM和DRAM之間。

PSRAM廠家也有很多,以AP用的最多。最常用的便是64MB。APS6404L這種偽SRAM器件具有高速、低引腳數(shù)接口。它有4個(gè)SDRI/O引腳，以SPI或QPI模式工作，頻率高達(dá)133MHz。它最適合低功耗和低成本的便攜式應(yīng)用。它包含了一個(gè)無(wú)縫的自我管理刷新機(jī)制。因此，它不需要系統(tǒng)主機(jī)對(duì)DRAM刷新的支持。自刷新功能是一種特殊的設(shè)計(jì)，可最大限度地提高內(nèi)存讀取操作的性能。APS6404L有標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括SOP-8L和USON-8L。樣品及技術(shù)支持聯(lián)系英尚微。

功能
·50Ω輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度LVCMOS
·線性突發(fā)（連續(xù)）或通過(guò)切換命令的32字節(jié)包裝突發(fā)。
·線性突發(fā)支持高達(dá)84MHz，并且只要滿足tCEM，就可以跨越頁(yè)面邊界。
·軟件重置

規(guī)格
·單電源電壓
-VDD=2.7至3.6V
·接口：SPI/QPI，帶SDR模式
·性能：時(shí)鐘速率高達(dá)
-在VDD=3.0V+/-10%時(shí)，32字節(jié)封裝突發(fā)操作為133MHz
-在VDD=3.3V+/-10%時(shí)，109MHz用于32字節(jié)封裝突發(fā)操作
-用于線性突發(fā)操作的84MHz
·組織：64Mb，8Mx8bits
·可尋址位范圍：A[22:0]
·頁(yè)面大�。�1024字節(jié)
·刷新：自我管理
·工作溫度范圍：
-Tc=-40℃至+85℃（標(biāo)準(zhǔn)范圍）
-Tc=-40℃至+105℃（擴(kuò)展范圍）
·最大備用電流
-105℃時(shí)為350μA
-250μA@85℃
-140μA@25°


APS6404L 3.3V

Density	Organization	Part Number	Data rate	Voltage	Temperature(°C)
64Mb	x4 Quad SPI	APS6404L-3SQR-SN	84(SDR)	3.0	-40~85
64Mb	x4 Quad SPI	APS6404L-3SQRX-SN	84(SDR)	3.0	-40~105
64Mb	x4 Quad SPI	APS6404L-3SQNX-SN	133(SDR)	1.8	-40~105
64Mb	x4 Quad SPI	APS6404L-3SQR-ZR	84(SDR)	3.0	-25~85
64Mb	x4 Quad SPI	APS6404L-3SQN-ZR	133(SDR)	1.8	-25~85
64Mb	x4 Quad SPI	APS6404L-3SQN-SN	133(SDR)	1.8	-40~85