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半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案

發(fā)布時(shí)間:2019-9-25 15:08    發(fā)布者:安泰測(cè)試設(shè)備
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的 雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲線(xiàn),來(lái)決定器 件的基本參數(shù)。微電子器件種類(lèi)繁多,引腳數(shù)量和待 測(cè)參數(shù)各不相同,除此以外,新材料和新器件對(duì)測(cè)試 設(shè)備提出了更高的要求,要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低 電流測(cè)試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。
分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過(guò)實(shí)驗(yàn),幫助工 程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù),并在整個(gè)工 藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。
隨著器件幾何尺寸的減小,半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè) 試系統(tǒng)的要求越來(lái)越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí),這些對(duì)低噪聲源表,探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。
半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案,泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開(kāi)發(fā)的高精度源測(cè)量單元 (SMU)為核心測(cè)試設(shè)備,配備使用簡(jiǎn)便靈活,功能 豐富的CycleStar測(cè)試軟件,及精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái),為客戶(hù)提供了可靠易用的解決方案,極大的提高了用戶(hù) 的工作效率。
吉時(shí)利方案特點(diǎn)
  豐富的內(nèi)置元器件庫(kù),可以根據(jù)測(cè)試要求選擇所需要的待測(cè)件類(lèi)型;
測(cè)試和計(jì)算過(guò)程由軟件自動(dòng)執(zhí)行,能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線(xiàn),節(jié)省了大量的時(shí)間;
精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái),針座分辨率可高達(dá)0.7um,顯微鏡放大倍數(shù)最高可達(dá)x195倍;
最高支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表,可以完成三端口器件測(cè)試。
測(cè)試功能:
二極管特性的測(cè)量與分析
極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析  
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析  
MOS 器件的參數(shù)提取
系統(tǒng)結(jié)構(gòu):
系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元(SMU)、 夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例,共需要以下設(shè)備:
1、兩臺(tái)吉時(shí)利 2450 精密源測(cè)量單元
2、四根三同軸電纜
3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)
4、三同軸T型頭
5、上位機(jī)軟件與源測(cè)量單元(SMU)的連接方式如下圖所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。
系統(tǒng)連接示意圖
典型方案配置
西安某高校現(xiàn)場(chǎng)演示圖
安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示,并獲得客戶(hù)的高度認(rèn)可安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠(chǎng)家一起,為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案,為客戶(hù)解憂(yōu)

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