Diodes 公司 推出全新系列的高電壓、高速閘極驅(qū)動器，適用于轉(zhuǎn)換器、變頻器、馬達控制，以及 D 類功率放大器等應用。上述裝置適用于最高 100V 的馬達驅(qū)動應用，同時可支持以 200V 運作的功率轉(zhuǎn)換及反轉(zhuǎn)應用。這些功能使其非常適用于各種消費性與工業(yè)設計，包括電動工具、機器人與無人機，以及小型電動車。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 為涵蓋半橋與高側(cè)/低側(cè)拓撲的 200V 閘極驅(qū)動器，并采用標準低矮型 SO-8 封裝。這些裝置具有接面隔離位準偏移技術，可建立浮動信道高側(cè)驅(qū)動器，用于以最高 200V 運作的自舉式拓撲，并可驅(qū)動使用半橋組態(tài)的兩個 N 通道 MOSFET。 此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標準 TTL/CMOS 邏輯輸入，最低能以 3.3V 運作，因此很容易將驅(qū)動器連接至控制電路。其輸出的設計可承受負瞬態(tài)，并包含適用于高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定。 DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流，DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A，在其范圍內(nèi)皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內(nèi)部停滯時間，而 DGD2005S8 在高側(cè)與低側(cè)之間切換時，最大傳播時間為 30ns。 DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝，并可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度范圍中運作。 詳細信息請參閱 www.diodes.com |
