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近日，中國電科46所經(jīng)過多年氧化鎵晶體生長技術(shù)探索，通過改進熱場結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長氣氛和晶體生長工藝，有效解決了晶體生長過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題，采用導模法成功制備出高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，適用于制造高電流密度的功率器件、紫外探測器、發(fā)光二極管等。但由于氧化鎵屬于單斜晶系，具有高熔點、高溫分解以及易開裂的特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。中國電科46所制備的氧化鎵單晶的寬度接近100mm，總長度達到250mm，可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經(jīng)測試，晶體具有很好的結(jié)晶質(zhì)量，將為國內(nèi)相關(guān)器件的研制提供有力支撐。 |
