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來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，2024年7月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司在氧化鎵晶體生長與襯底加工技術(shù)上取得突破性進展，成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，為目前國際上已報導(dǎo)的最大尺寸，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。 據(jù)悉，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。目前，鎵仁半導(dǎo)體推出晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，該產(chǎn)品面向科研市場，滿足科研領(lǐng)域?qū)?010)襯底的需求，促進業(yè)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作。 資料顯示，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司主要從事氧化鎵等半導(dǎo)體單晶材料的研發(fā)與生產(chǎn)。此前聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室，采用楊德仁院士團隊自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。今年4月還推出了2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷。 |
