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近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）在氧化鎵晶體生長領(lǐng)域取得了重大技術(shù)突破，成功生長出高質(zhì)量的2英寸氧化鎵單晶。 據(jù)了解，鎵仁半導(dǎo)體此次的技術(shù)突破得益于其自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備，以及創(chuàng)新的垂直布里奇曼法（VB）晶體生長技術(shù)。傳統(tǒng)的氧化鎵晶體生長方法往往需要使用昂貴的銥坩堝，并且面臨高溫分解、坩堝腐蝕導(dǎo)致的晶體缺陷等難題。而鎵仁半導(dǎo)體采用的VB法則有效解決了這些問題，不僅無需使用銥坩堝，還能夠在空氣氣氛下生長單晶，有效抑制了氧化鎵的高溫分解，減少了晶體缺陷，提高了晶體質(zhì)量。 此外，VB法還具有溫度梯度小、不需要控制晶體直徑等特點，使得晶體生長過程更加穩(wěn)定可控，降低了技術(shù)難度。同時，鎵仁半導(dǎo)體的晶體生長設(shè)備還支持多種不同晶面的單晶氧化鎵生產(chǎn)，具備從2英寸升級至4英寸單晶的能力，為未來的科研和產(chǎn)業(yè)化提供了廣闊的空間。 鎵仁半導(dǎo)體的這一技術(shù)突破，不僅打破了西方國家在氧化鎵設(shè)備和材料領(lǐng)域的技術(shù)封鎖，更為我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新的活力。隨著5G通信、人工智能、電動汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，市場對高性能半導(dǎo)體材料的需求日益增加。氧化鎵作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電學(xué)性能和熱穩(wěn)定性，在電力電子、射頻器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 |
