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打臉!臺(tái)積電10nm相當(dāng)于英特爾12nm?

發(fā)布時(shí)間:2016-7-22 13:34    發(fā)布者:芯易網(wǎng)
獨(dú)得蘋(píng)果A10訂單的臺(tái)積電正歡呼雀躍的時(shí)候,有一個(gè)巴掌重重地打了過(guò)來(lái):此前宣布的10nmFinFET工藝,居然只相等于英特爾的十二納米;那么,事實(shí)到底是怎么樣的呢?
前不久的股東大會(huì)上,臺(tái)積電CEO劉德音被美國(guó)分析師BrettSimpson(布雷特·辛普森)的一個(gè)問(wèn)題難住了:Brett Simpson竟然問(wèn)臺(tái)積電7nmFinFET工藝比起英特爾即將量產(chǎn)的10nm工藝,在性能特征上的差距。
“你得去問(wèn)我們的顧客,我無(wú)法為他們回答!憋@然,劉德音有點(diǎn)尷尬。如果是幾年前,這并不是問(wèn)題。根據(jù)摩爾定律,7nm工藝比10nm工藝制出的電晶體縮小一半,效能、耗電等各項(xiàng)指標(biāo)都大幅度超越;可以說(shuō),7nm工藝比10nm工藝領(lǐng)先一個(gè)世代。
而這位分析師的問(wèn)題,是首次超越了半導(dǎo)體業(yè)界遵循30年的摩爾定律范疇,被稱為困擾業(yè)界多年的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問(wèn)題。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,Brett Simpson在暗示,臺(tái)積電還未量產(chǎn)的7nm和英特爾10nm工藝,屬于同一世代的技術(shù),也就是說(shuō),臺(tái)積電10nm相當(dāng)于英特爾12nm。
對(duì)于Brett Simpson的說(shuō)法,不少臺(tái)積電的客戶都表示認(rèn)同。臺(tái)積電大客戶、世界最大IC設(shè)計(jì)公司高通首席技術(shù)官M(fèi)att Grob (葛羅布)指出,獨(dú)吃A10處理器的16納米工藝,是目前臺(tái)積電量產(chǎn)的最尖端工藝,僅相當(dāng)于英特爾的20納米工藝。
Matt Grob (葛羅布)表示,半導(dǎo)體行業(yè)中,晶圓代工廠商的工藝數(shù)字都經(jīng)過(guò)不同程度的“美化”,包括臺(tái)積電、三星以及格羅方德,他們的工藝數(shù)字都經(jīng)過(guò)不同程度的“優(yōu)化”。結(jié)果是讓業(yè)界“非常困擾(芯易網(wǎng)注)。
“即使是高通內(nèi)部的會(huì)議簡(jiǎn)報(bào),都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術(shù)數(shù)字,而必須經(jīng)過(guò)換算。我們要問(wèn)清楚,這個(gè)硅晶圓上到底可以放多少個(gè)邏輯電路?”Matt Grob稱。
一位資深業(yè)者透露,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部存在一套關(guān)于制程工藝的換算方式,從這個(gè)方式來(lái)看:臺(tái)積電的16nm和英特爾的20nm相等,10nm和英特爾的12nm相仿。同理,未來(lái)臺(tái)積電的7nm,可能會(huì)比英特爾要好一些。
臺(tái)積電早期采用的16nm FinFET工藝,原計(jì)劃是跟英特爾一樣成為20nm FinFET。因?yàn)槠?6nm工藝的電晶體最小線寬(half-pitch),與前一代量產(chǎn)的20nm 電晶體工藝差不多,只不過(guò)是換上全新的FinFET電晶體。
可以說(shuō),整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的晶圓代工廠基本是跟著因特爾的腳步。引發(fā)現(xiàn)在這種一個(gè)工藝,各自表述“混亂”場(chǎng)面的始作俑者是三星,時(shí)間是在之前的2、3年前,當(dāng)時(shí)整個(gè)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入全新的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)。
一位前臺(tái)積高階主管透露,同樣的(20nm)工藝,三星已搶先命名為“14納米”,如果臺(tái)積電還用20nm命名,肯定很吃虧。“我們至少有點(diǎn)良心,不敢像三星那樣隨便命名”這位前臺(tái)積高層無(wú)奈稱。
命名習(xí)慣被打亂之后,讓外行人很難搞懂,英特爾、臺(tái)積電、三星這半導(dǎo)體三雄的技術(shù),哪個(gè)更先進(jìn)一點(diǎn)?例如,英特爾原先預(yù)計(jì)在第三季度發(fā)布的10納米工藝處理器,卻在不久前宣布延后至明年。因此,量產(chǎn)時(shí)間也將落后于臺(tái)積電量產(chǎn)的“10nm”工藝。
當(dāng)臺(tái)積電發(fā)布10nm FinFET工藝時(shí),業(yè)內(nèi)人士大都明白,彼“10nm”不等于此“10nm”,目前,臺(tái)積電在技術(shù)上仍落后英特爾(至少)一個(gè)技術(shù)世代。不過(guò),臺(tái)積電正在縮小和英特爾的技術(shù)差距,“我們認(rèn)為這些差距正在縮小,而且還會(huì)持續(xù)縮小!备咄ㄊ紫癄I(yíng)運(yùn)官戴瑞克說(shuō)道。

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zhao_siqing 發(fā)表于 2016-7-24 16:15:09
不管怎樣  都還是為臺(tái)積電高興
supplyports 發(fā)表于 2020-5-31 10:20:37
這不是騙人嗎?
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