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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管(英飛凌)

發(fā)布時(shí)間:2010-7-2 11:44    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: CoolMOS , MOSFET , 高壓 , 功率晶體管
英飛凌推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起;谕瑯拥募夹g(shù)平臺(tái),C6器件針對(duì)易用性進(jìn)行了優(yōu)化,而E6器件則旨在提供最高效率。

CoolMOS C6/E6是來自英飛凌的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級(jí)結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS C6/E6器件具備快速、可控的開關(guān)性能,適用于效率和功率密度是關(guān)鍵要求的應(yīng)用。650V CoolMOS C6/E6器件易于應(yīng)用,是各種高能效開關(guān)產(chǎn)品的理想之選,例如筆記本電腦適配器、太陽能逆變器和其他需要額外擊穿電壓裕量的開關(guān)電源(SMPS)產(chǎn)品。

相對(duì)于CoolMOS C3 650V系列,全新650V CoolMOS C6/E6 器件輸出電容(Eoss)的儲(chǔ)電量降幅高達(dá)20%,而C6/E6 器件經(jīng)過改進(jìn)的體二極管具備更高的硬換相耐受性,并可使反向恢復(fù)電荷降低約25%。得益于調(diào)諧柵極電阻的平衡設(shè)計(jì),C6/E6 器件的開關(guān)行為能夠避免過高的電壓和電流變化率。

IPA65R280C6 / IPA65R280E6 (280mΩ,采用TO220 FullPAK封裝)和 IPA65R380C6 / IPA65R380E6 (380mΩ,采用TO220 FullPAK封裝)的樣品目前可提供。全新C6/E6 650V 系列的首批器件預(yù)計(jì)將于2010年7月開始實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品系列將逐步實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展直至2010年年底。

訂購量達(dá)到1萬枚時(shí), IPA65R280C6 / IPA65R280E6的單價(jià)為2.90美元。

更多信息參見 www.infineon.com/powerwww.infineon.com/coolmos。
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zhenghongit 發(fā)表于 2010-7-3 10:26:34
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