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X-FAB針對可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝

發(fā)布時(shí)間:2013-6-25 10:19    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: X-FAB , 模擬應(yīng)用
XP018增強(qiáng)后的核心減少了5V組件的光罩層數(shù),提供低導(dǎo)通電阻的5V與12V組件的新選擇以降低芯片成本

X-FAB Silicon Foundries今日宣布針對高性能的模擬應(yīng)用,例如:音頻、傳感器界面與5V的電源管理,加強(qiáng)了XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項(xiàng)是成本敏感的消費(fèi)性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。

X-FAB針對模擬電路設(shè)計(jì)降低XP018芯片成本有幾個方面:

-- 新推出的單電壓5V的選項(xiàng)移除了1.8V的部分以減少整體光罩的數(shù)量,對成本敏感的可攜式應(yīng)用提供有價(jià)值的回報(bào)。

-- 5V環(huán)境中的I/O單元、數(shù)字庫、一次性可程序化(OTP)內(nèi)存和模擬模塊均兼容于XP018所有的高壓選項(xiàng),使其可用于任何類型的驅(qū)動器。針對驅(qū)動壓電或電容性的系統(tǒng),導(dǎo)通電阻優(yōu)化的12V晶體管減少了所需要的芯片面積。此外,5V模塊中一次性可程序化(OTP)內(nèi)存的編譯程序可支持至16k bit,互補(bǔ)于現(xiàn)有的poly fuses。

-- 適用于不同需求的金屬繞線 – 一個新式的金屬模塊概念首次引入XP018平臺 – 節(jié)省了設(shè)計(jì)成本。它允許MiM電容靈活地和其他金屬層互相堆棧。

-- 最后,60V的金屬邊際電容(metal fringe capacitor)與1 kohm的poly電阻簡化60V供電環(huán)境中高電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

X-FAB 高壓產(chǎn)品線的產(chǎn)品營銷經(jīng)理Sebastian Schmidt提到,”這項(xiàng)新工藝確實(shí)為我們的客戶提供很大的效益。20層光罩的工藝是具有競爭力的,客戶可以藉由180nm高密度的數(shù)字邏輯與5V、12V至50V的推挽驅(qū)動來建立他們的混合訊號系統(tǒng)芯片 – 非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)的可用性也進(jìn)一步加強(qiáng)。因此,這是一個為智能型驅(qū)動與模擬IC所設(shè)計(jì)的絕佳技術(shù)!

新式的XP018是汽車電子驗(yàn)證過的工藝 – X-FAB的標(biāo)準(zhǔn)功能 – 并提供全面性的PDK支持與操作溫度-40至175攝氏度的應(yīng)用。

解決方案


加強(qiáng)后的XP018平臺已經(jīng)完備,設(shè)計(jì)人員可立刻受惠于這些選項(xiàng)。
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