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碳化硅MOS電壓650V-3300V，電流1A-200A 。

已有 1000 次閱讀2023-4-17 11:51 |個人分類:碳化硅MOS| SiCMOS, 碳化硅MOS, 新能源汽車, 電機驅動, 充電樁, SiCMOS, SiCMOS

SiCMOS管國產實現(xiàn)電壓650V-3300V，電流5A-150A 。https://pan.baidu.com/s/1coNcn5QTm2JBVLch-Nk4TA提取碼52x5 碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。