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電子工程師雜談列表

ADI新年寄語 |激活智能邊緣,把握數字時代新機遇

趙傳禹,ADI中國區(qū)銷售副總裁 新數字時代,隨著人工智能、機器學習等技術在全球范圍內迅速實現大規(guī)模的普及與應用,人與機器的交互方式發(fā)生了根本性的變化,這從根本上重塑了我們生活的世界 ...
2025年02月05日 18:50   |  
ADI   智能邊緣   邊緣AI  

功率器件熱設計基礎(六)——瞬態(tài)熱測量

功率器件熱設計基礎(六)——瞬態(tài)熱測量
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性 ...
2025年01月21日 15:54   |  
功率器件   IGBT   英飛凌  

2025開年前瞻:技術研發(fā)領域的關注要點與未來走向

作者:是德科技EDA高級設計與驗證業(yè)務負責人Nilesh Kamdar 進入新的一年,技術研發(fā)領域將伴隨著AI/ML、HI/3DIC 生態(tài)系統(tǒng)、光子學乃至量子計算等重要發(fā)展勢頭持續(xù)向前演進。這些重要趨勢有望 ...
2025年01月17日 18:26   |  
人工智能   機器學習   3DIC   小芯片   Chiplet  

功率器件熱設計基礎(五)——功率半導體熱容

功率器件熱設計基礎(五)——功率半導體熱容
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。 ...
2025年01月17日 14:43   |  
功率器件   功率半導體   英飛凌  

Arm 技術預測:2025 年及未來的技術趨勢

作者:Arm Arm 不斷思考著計算的未來。無論是最新架構的功能,還是用于芯片解決方案的新技術,Arm 所創(chuàng)造和設計的一切都以未來技術的使用和體驗為導向。 憑借在技術生態(tài)系統(tǒng)中所處的獨特 ...
2025年01月14日 17:33   |  
技術趨勢   芯粒   芯片設計   AI推理   邊緣側AI  

芯耀輝:從傳統(tǒng)IP到IP2.0,AI時代國產IP機遇與挑戰(zhàn)齊飛

作者: 芯耀輝 2024年,集成電路行業(yè)在變革與機遇中持續(xù)發(fā)展。面對全球經濟的新常態(tài)、技術創(chuàng)新的加速以及市場需求的不斷變化,集成電路企業(yè)如何在新的一年里保持競爭力并實現可持續(xù)發(fā)展?集 ...
2025年01月14日 17:28   |  
芯耀輝   AI芯片   IC設計  

《芯片戰(zhàn)爭》作者米勒發(fā)表演講:人工智能引領芯片之戰(zhàn)轉向“云之戰(zhàn)”

近日,塔夫茨大學弗萊徹學院國際歷史學教授、《芯片戰(zhàn)爭》一書的作者克里斯·米勒在臺北舉行的天下經濟論壇上發(fā)表了一場引人深思的演講。米勒教授在演講中深入探討了人工智能技術的迅猛發(fā)展如何 ...
2025年01月14日 09:15   |  
米勒   人工智能  

重塑行業(yè)格局:2025 年AI的潛力和挑戰(zhàn)前瞻

作者:是德科技 人工智能(AI)不再是未來的驚鴻一瞥,而是推動當前技術革新的催化劑。進入 2025 年,人工智能將對各行各業(yè)產生深遠影響,從工程和軟件開發(fā)到零售和供應鏈管理,人工智能技術 ...
2025年01月09日 18:48   |  
人工智能  

智能之光:安科瑞照明控制系統(tǒng)在城市軌道交通中的功能展現

智能之光:安科瑞照明控制系統(tǒng)在城市軌道交通中的功能展現
摘要:在傳統(tǒng)的城市軌道交通設計方面,照明設計方案具有一定的弊端。隨著計算機技術的發(fā)展,智能化技術漸漸步入人們的生活并成為主流,故在城市軌道交通中應用新型的照明控制設計,即智能控制系 ...
2025年01月08日 10:25

功率器件熱設計基礎(四)——功率半導體芯片溫度和測試方法

功率器件熱設計基礎(四)——功率半導體芯片溫度和測試方法
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。 ...
2024年12月31日 16:01   |  
芯片  

功率器件熱設計基礎(三)——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

功率器件熱設計基礎(三)——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。 ...
2024年12月26日 15:22   |  
功率器件  

功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和并聯

功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和并聯
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。 ...
2024年12月25日 15:37   |  
功率器件   IGBT  
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