面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時Vth測量

發(fā)布時間：2012-9-5 14:42 發(fā)布者：eechina

在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩(wěn)定性（PBTI）——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。當前NBTI 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進可靠性研究人員不斷完善測試技術的關鍵。簡單來說，當撤銷器件應力時，這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測量得出的壽命預測結果將過于樂觀。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復對壽命預測的影響越小。此外，實驗數(shù)據(jù)顯示被測的劣化時間斜率（n）很大程度取決于測量時延和測量速度。因此，為了最小化測量延時并提高測量速度開發(fā)了幾種測量技術。

資料下載：

2814_OTF Voltage_An - CN.pdf (573.66 KB)

下載更多Keithley技術資料：吉時利技術專區(qū)

本文地址：http://m.54549.cn/thread-96867-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網(wǎng)友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據(jù)著作權人的要求，第一時間更正或刪除。