MK64FN1M0VLL12微控制器，SDRAM內(nèi)存CXDQ3BFAM-CJ-A，W25Q16JVSSIQ串行閃存

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明佳達，星際金華 供應 MK64FN1M0VLL12微控制器，SDRAM內(nèi)存CXDQ3BFAM-CJ-A，W25Q16JVSSIQ串行閃存


MK64FN1M0VLL12 單核 120MHz 微控制器 IC

產(chǎn)品描述
MK64FN1M0VLL12 是基于 ARM® Cortex®-M4 架構、內(nèi)置浮點運算單元 (FPU) 的 120 MHz 微控制器。
該器件集成 10/100 Mbit/s 以太網(wǎng) MAC 模塊，支持 MII 和 RMII 接口。
該器件專為注重成本的應用優(yōu)化，支持低功耗、USB/以太網(wǎng)連接，并提供高達256KB的嵌入式SRAM。

特性
高達1 MB程序閃存和256 KB RAM
FlexMemory設備支持高達128 KB FlexNVM和4 KB FlexRAM
FlexBus外部總線接口
多種低功耗模式，低漏電喚醒單元
帶多主機保護的內(nèi)存保護單元
16通道DMA控制器
外部看門狗監(jiān)控器和軟件看門狗
硬件CRC校驗模塊
硬件隨機數(shù)生成器
支持DES/3DES/AES/MD5/SHA-1/SHA-256算法的硬件加密單元

CXDQ3BFAM-CJ-A 8Gb DDR4 SDRAM內(nèi)存

產(chǎn)品描述
CXDQ3BFAM-CJ-A為8Gb DDR4 SDRAM內(nèi)存。

特性
電源：VDD = VDDQ = 1.2V（1.14V至1.26V）；VPP = 2.5V（2.375V至2.75V）
JEDEC標準封裝：x16 96球FBGA
陣列配置：8個銀行（x16）分為2組（每組4個銀行）
8n位預取架構
突發(fā)長度(BL)：8位和4位（支持突發(fā)截斷BC）
可編程CAS延遲(CL)
可編程CAS寫延遲(CWL)
數(shù)據(jù)輸入端內(nèi)置參考電壓
片上終端（ODT）：支持標稱、駐留及動態(tài)ODT
差分時鐘與數(shù)據(jù)選通信道
接口：1.2V偽開漏（POD）IO
按DRAM地址可尋址（PDA）
數(shù)據(jù)總線反相（DBI）
寫入數(shù)據(jù)屏蔽（DM）
最大省電模式（MPSM）
支持LP ASR（低功耗自動自刷新）模式
上電異步復位
預充電：每突發(fā)訪問自動預充電選項
工作外殼溫度：0°C ≤ TCase ≤ 95°C
支持自動刷新與自刷新模式8Gb x16 DDR4 SDRAM
平均刷新周期：0°C ≤ TCase ≤ 85°C時為7.8 μs；85°C < TCase ≤ 95°C時為3.9 μs
支持精細粒度刷新2倍、4倍模式以縮短tRFC
可編程數(shù)據(jù)選通前導碼
支持命令地址奇偶校驗
支持寫入循環(huán)冗余校驗碼（CRC）
支持hPPR與sPPR
支持連接性測試模式（TEN）
降速模式
通過ZQ引腳進行輸出驅(qū)動器校準（RZQ：240歐姆±1%）
符合JEDEC JESD-79-4標準
符合RoHS環(huán)保指令

W25Q16JVSSIQ 3V 16Mbit雙/四線SPI串行閃存

產(chǎn)品描述
W25Q16JVSSIQ（16Mbit）串行閃存為空間、引腳及功耗受限的系統(tǒng)提供存儲解決方案。25Q系列在靈活性和性能上遠超普通串行閃存器件，是實現(xiàn)代碼影子存儲至RAM、直接從雙/四通道SPI執(zhí)行代碼（XIP）以及存儲語音、文本和數(shù)據(jù)的理想選擇。該器件采用單電源供電（2.7V至3.6V），關斷功耗低至1μA。

特性
全新SpiFlash存儲器系列
– W25Q16JV：16M位/2M字節(jié)（2,097,152）
– 標準SPI：CLK、/CS、DI、DO
– 雙SPI：CLK、/CS、IO0、IO1
– 四通道SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
– 軟硬件復位(1)
高性能串行閃存
– 133MHz單/雙/四通道SPI時鐘
– 266/532MHz等效雙/四通道SPI
– 66MB/s持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率
– 每扇區(qū)至少10萬次編程擦除循環(huán)
– 超過20年數(shù)據(jù)保持期
高效“連續(xù)讀取”
– 支持8/16/32/64字節(jié)循環(huán)讀取
– 僅需8個時鐘周期即可尋址存儲器
– 支持真正的XIP（原位執(zhí)行）操作
– 性能超越X16并行閃存
低功耗，寬溫工作范圍
– 單電源2.7V至3.6V供電
– -40°C至+85°C工作溫度范圍
– 工作溫度范圍：-40°C至+105°C
– 典型功耗：<1µA（待機狀態(tài)）
靈活架構支持4KB扇區(qū)
– 統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除（4K/32K/64K字節(jié)）
– 可編程頁支持1至256字節(jié)編程
– 擦除/編程暫停與恢復功能
高級安全特性
– 軟硬件寫保護
– 電源鎖定
– 特殊一次性可編程保護(2)
– 頂/底端、補碼陣列保護
– 單獨塊/扇區(qū)陣列保護
– 每設備64位唯一ID
– 可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)寄存器
– 3×256字節(jié)帶一次性可編程鎖定的安全寄存器
– 易失性與非易失性狀態(tài)寄存器位
空間高效封裝
– 8引腳SOIC 150-mil/208-mil
– 8焊盤USON 2x3mm/4x3mm
– 8焊盤XSON 4x4mm
– 8焊盤WSON 6x5mm
– 8球WLCSP
– KGD及其他選項請咨詢勝邦