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超結(jié)器件支持高額定功率和高密度，同時能夠降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而提高效率 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導(dǎo)通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中650V MOSFET的重要優(yōu)值因數(shù)（FOM）降低了65.4 %。 
Vishay推出了多種MOSFET技術(shù)，為電源轉(zhuǎn)換過程的所有階段提供支持，包括從高壓輸入到最新高科技設(shè)備所需的低壓輸出。憑借SiHK050N65E和Gen 4.5 650 V E系列中的其他器件，公司正在滿足電力系統(tǒng)架構(gòu)的兩個早期階段中對改進效率和功率密度的需求，即功率因數(shù)校正（PFC）和后續(xù)的DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊。典型的應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計算和超級計算機；UPS、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器；通信開關(guān)模式電源（SMPS）；太陽能逆變器；焊接設(shè)備；感應(yīng)加熱系統(tǒng)；電動驅(qū)動和電池充電器。 SiHK050N65E基于Vishay最新的高能效E系列超結(jié)技術(shù)，能夠在10V下實現(xiàn)典型的低導(dǎo)通電阻為0.048 Ω，適合超過6kW的高功率應(yīng)用。同時，650 V器件的擊穿電壓達到額外的50 V，使其可以在200 VAC至277 VAC的輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，并符合開放計算項目的開放機架V3（ORV3）標準。此外，MOSFET的超低柵極電荷僅為78 nC，提供了優(yōu)越的FOM值3.74 *nC，這對減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要，從而進一步節(jié)省能源并提升效率。這使得器件能夠滿足服務(wù)器電源中特定的鈦效率要求，或者達到96 %的峰值效率。 為了在硬開關(guān)拓撲（如PFC電路和雙開關(guān)前饋設(shè)計）中優(yōu)化開關(guān)性能，日前發(fā)布的MOSFET具備較低的有效輸出電容值，Co(er)為167 pF，Co(tr)為1119 pF。器件在電阻乘以Co(er)的FOM上達到業(yè)界新低的8.0 *pF。SiHK050N65E以PowerPAK® 10 x 12封裝形式提供，并配備Kelvin連接以降低柵極噪聲，同時提高dv/dt的抗擾性。MOSFET符合RoHS標準而且無鹵素，經(jīng)過特別設(shè)計以承受雪崩模式下的過壓瞬態(tài)，100%的UIS測試保證了其極限值。 SiHK050N65E現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。欲了解供貨周期信息，請聯(lián)系您當?shù)氐匿N售處。 |
