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Littelfuse推出高性能超級結X4-Class 200V功率MOSFET

發(fā)布時間:2024-11-26 17:32    發(fā)布者:eechina
提供業(yè)界領先的低通態(tài)電阻,使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化,性能得到提升

Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。

這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展,有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件,從而簡化設計流程,提高應用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅固穩(wěn)定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導通電阻,增強并補充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級結系列產(chǎn)品組合。與當下最先進的X4-Class MOSFET解決方案相比,這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍,導通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導通損耗的一系列低壓功率應用,包括:
•        電池儲能系統(tǒng)(BESS)
•        電池充電器
•        電池成型
•        DC/電池負載開關,以及
•        電源

“新器件將允許設計人員用一個器件解決方案取代多個并聯(lián)的低額定電流器件!盠ittelfuse全球產(chǎn)品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示, “這種獨特的解決方案簡化了柵極驅動器設計,提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空間利用率。”

超級結X4級功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢:
•        低傳導損耗
•        最少的并行連接工作量
•        驅動器設計簡化,驅動器損耗最小
•        簡化的熱設計
•        功率密度增加

為什么對于看重極小導通損耗的應用來說具有低導通電阻的MOSFET是首選?

對于看重極小導通損耗的應用來說,具有低導通電阻(RDS(on))的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗,從而降低傳導損耗,提高效率,并減少發(fā)熱。因此,它們非常適合電源、電機驅動器和電池供電設備等功率敏感型應用,在這些應用中,保持高效率和熱管理至關重要。

性能指標
性能指標
IXTN500N20X4
IXTN400N20X4
封裝
氮化鋁陶瓷基隔離SOT-227B
通態(tài)電阻
RDS(on) =  1.99mΩ @ Tvj =  25°C
RDS(on) =  3mΩ @ Tvj =  25°C
高標稱額定電流
500A @ TC =  25°C
340A @ TC =  25°C
柵極電荷
Qg =  535nC
Qg =  348nC
熱阻
RthJC =  0.13K/W
RthJC =  0.18K/W

供貨情況
超級結X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨?赏ㄟ^Littelfuse全球各地的授權經(jīng)銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權經(jīng)銷商名單,請訪問 Littelfuse.com。

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