碳化硅MOS電壓2000V內(nèi)阻98mΩ/ASC30N2000MT4PB

發(fā)布時間：2024-11-23 10:30 發(fā)布者：Eways-SiC

關(guān)鍵詞：光伏逆變 , 儲能系統(tǒng) , DC DC , SVG , 英飛凌

ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，電壓2000V內(nèi)阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet： ASC30N2000MT4PB.pdf (1015.33 KB)

2024-11-23 10:22 上傳
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