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ASML兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)成功安裝于英特爾

發(fā)布時(shí)間:2024-10-10 09:26    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: ASML , EUV , 光刻機(jī) , 英特爾
近日,ASML新任CEO傅恪禮(Christophe Fouquet)在SPIE大會(huì)上宣布了一個(gè)令人振奮的消息:兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)(單臺(tái)設(shè)備售價(jià)約為3.5億美元)已經(jīng)在英特爾成功安裝完成。

High NA EUV光刻機(jī)作為目前全球最先進(jìn)、最昂貴的光刻設(shè)備,其安裝完成代表著更高分辨率的光刻能力,能夠滿足停滯不前的摩爾定律所帶來的挑戰(zhàn)。傅恪禮在演講中表示,High NA EUV光刻機(jī)不太可能像最初的EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲,因?yàn)檫@款設(shè)備更像是EUV光刻機(jī)的“升級(jí)款”,而不是一個(gè)全新的產(chǎn)品。這一預(yù)測(cè)無疑為業(yè)界注入了更多信心。

英特爾光刻總監(jiān)馬克·菲利普斯(Mark Phillips)在大會(huì)上透露,他們?cè)诓ㄌ靥m工廠已經(jīng)完成了兩臺(tái)High NA光刻系統(tǒng)的安裝。他還強(qiáng)調(diào),由于已經(jīng)有了首臺(tái)安裝的經(jīng)驗(yàn),第二臺(tái)系統(tǒng)的安裝效率比首臺(tái)更快,這表明公司在相關(guān)技術(shù)方面的經(jīng)驗(yàn)積累得到了顯著回報(bào)。此外,菲利普斯還透露,High NA系統(tǒng)所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運(yùn)行,相關(guān)光刻掩模檢測(cè)也已按計(jì)劃開始。

據(jù)了解,High NA EUV光刻機(jī)的成功安裝對(duì)英特爾來說意義重大。英特爾計(jì)劃在2025年年底開始使用這一系統(tǒng)進(jìn)行生產(chǎn),目標(biāo)插入點(diǎn)是Intel 14A工藝(預(yù)計(jì)2026~2027年量產(chǎn))。這將有助于英特爾在半導(dǎo)體市場(chǎng)上保持領(lǐng)先地位,并進(jìn)一步提升其在高端芯片制造方面的競(jìng)爭(zhēng)力。

值得一提的是,ASML在與客戶合作方面也展現(xiàn)了極高的靈活性和效率。傅恪禮在演講中提到了組裝掃描儀子組件的新方法,即直接在客戶工廠安裝,無需經(jīng)歷拆卸及再組裝的過程。這將大大節(jié)省ASML與客戶之間的時(shí)間和成本,有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的推出和交付。

然而,并非所有客戶都能享受到ASML的優(yōu)惠待遇。據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電在引入High NA EUV光刻機(jī)時(shí)獲得了較低的報(bào)價(jià),這主要是因?yàn)榕_(tái)積電是ASML的超級(jí)VIP客戶,擁有絕對(duì)的市場(chǎng)占有率優(yōu)勢(shì)和話語(yǔ)權(quán)。ASML為了全力協(xié)助臺(tái)積電進(jìn)機(jī)、調(diào)校與技術(shù)支援等,加速上線時(shí)間點(diǎn),給出了很大讓步。
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