|
來(lái)源：IT之家 應(yīng)用材料公司（Applied Materials, Inc.）于 7 月 8 日發(fā)布新聞稿，宣布推出芯片布線創(chuàng)新技術(shù)，通過(guò)業(yè)內(nèi)首次在量產(chǎn)中使用釕，讓銅芯片布線擴(kuò)展到 2 納米節(jié)點(diǎn)及更高水平，且電阻最高降幅達(dá)到 25%。 IT之家附上相關(guān)視頻介紹如下： 當(dāng)前芯片的晶體管規(guī)模已經(jīng)發(fā)展到數(shù)百億級(jí)別，生產(chǎn)過(guò)程中需要使用微細(xì)銅線進(jìn)行連接，總長(zhǎng)度可能超過(guò) 95.5 公里。 現(xiàn)有主流芯片布線通常從一層介電材料薄膜開(kāi)始，經(jīng)過(guò)蝕刻工藝之后，形成可以填充銅細(xì)線的通道。 而在過(guò)去數(shù)十年發(fā)展中，業(yè)界的主要布線組合采用低介電常數(shù)薄膜和銅，蝕刻每一層低介電常數(shù)薄膜，以形成溝槽，然后沉積一層阻障層，防止銅遷移到芯片中造成良率問(wèn)題。 
接著，在阻障層涂上一層襯墊，確保在最終的銅回流沉積過(guò)程中的附著力，從而緩慢地用銅填充剩余的體積，然后不斷迭代改進(jìn)微縮、性能和功耗等等。 應(yīng)用材料最新提出了增強(qiáng)版 Black Diamond，是現(xiàn)有 Black Diamond PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）系列的最新產(chǎn)品。
這種新材料降低了最小的 k 值，微縮推進(jìn)至 2 納米及以下，同時(shí)提供更高的機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，對(duì)將 3D 邏輯和存儲(chǔ)器堆棧升級(jí)到新的高度的芯片制造商和系統(tǒng)公司至關(guān)重要。 應(yīng)材最新的整合性材料解決方案 IMS（Integrated Materials Solution），在一個(gè)高真空系統(tǒng)中結(jié)合了六種不同的技術(shù)，包括業(yè)界首創(chuàng)的材料組合，讓芯片制造商將銅布線微縮到 2 納米及以下節(jié)點(diǎn)。
該解決方案采用是釕和鈷（RuCo）的二元金屬組合，將襯墊厚度減少 33% 至 2nm，為無(wú)空隙銅回流產(chǎn)生更好的表面特性，此外線路電阻最高降幅 25%，從而提高芯片性能和功耗。 采用 Volta Ruthenium CVD（化學(xué)氣相沉積）技術(shù)的新型 Applied Endura Copper Barrier Seed IMS 已被所有領(lǐng)先的邏輯芯片制造商采用，并已開(kāi)始向 3 納米節(jié)點(diǎn)的客戶(hù)發(fā)貨。 |
