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半導(dǎo)體領(lǐng)域突破性成果!我國(guó)科學(xué)家首創(chuàng)

發(fā)布時(shí)間:2024-7-9 10:15    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 , 晶體
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察

晶體是科技發(fā)展的基石,也是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、通訊、航空、激光技術(shù)等領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵材料。制備完美的晶體通常依賴于使用小晶體模板,即以“晶體種子”作為生長(zhǎng)起點(diǎn),隨后原子在其表面有序堆積,逐漸形成更大的晶體,例如建造房屋,就是以地基為“種子”,從下往上逐層砌磚,最終建出完整的建筑。

然而,這種自下而上的表面堆砌原子生長(zhǎng)方式存在一定局限性,不僅限制了晶體種類多樣性,也會(huì)隨著原子數(shù)目不斷增加,缺陷逐漸累積,進(jìn)而限制了晶體質(zhì)量。

北京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)并自主命名為“晶格傳質(zhì)-界面生長(zhǎng)”的一種全新晶體制備方法,即“從界面生長(zhǎng),頂著上方結(jié)構(gòu)往上走”的“頂蘑菇”式的生長(zhǎng)方式,可保證每層晶體結(jié)構(gòu)的快速生長(zhǎng)和均一排布,有效避免缺陷的積累,極大提高了晶體結(jié)構(gòu)可控性。

“利用新方法,制備出的二維晶體單層厚度僅為0.7納米,可以用作極限尺度的電子集成電路!北本┐髮W(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所所長(zhǎng)劉開輝認(rèn)為,這一成果標(biāo)志著我國(guó)在新型二維晶體研究領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展,為我國(guó)在集成電子和光子芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展提供了有力支持。

“這是一種顛覆傳統(tǒng)晶體生長(zhǎng)方式的晶體制備新范式。在制備過程中,原子首先在金屬表面,即‘地基’上排布形成‘第一層晶體’;接著,新加入的原子通過埋在‘地基’下方的晶格,傳輸進(jìn)入‘地基’與‘第一層晶體’之間的‘縫隙’,然后頂著上方已形成的晶體層進(jìn)行生長(zhǎng),不斷形成新的晶體層。這和自然界中很多植物的生長(zhǎng)方式類似,就像‘頂蘑菇’一樣!眲㈤_輝告訴記者:“從另一個(gè)角度來(lái)看,‘頂蘑菇’的比喻也很貼切。蘑菇是通過地表下的菌絲網(wǎng)絡(luò)汲取養(yǎng)分,而晶體制備,則需要通過埋在‘地基’下方且溶解到金屬晶格里的原子作為‘養(yǎng)分’!

“這種生長(zhǎng)方式也類似于德國(guó)慕尼黑寶馬大廈的建造過程:首先在地基上構(gòu)建頂部樓層結(jié)構(gòu),再利用液壓千斤頂將整個(gè)頂部結(jié)構(gòu)逐漸推高,而后在下方逐步建造新的樓層。”劉開輝表示,晶體制備新方法為人類解鎖更多種類、更多功能、更高質(zhì)量的晶體材料打開了新大門。利用這種創(chuàng)新方法,團(tuán)隊(duì)已經(jīng)制備出硫化鉬、硒化鉬及硫硒化鉬合金材料等一系列二維晶體。

“此外,通過‘頂蘑菇’頂出一萬(wàn)多層,可以讓光在每一層晶體上一起‘跳集體舞’,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光的變頻控制,有望推動(dòng)超薄光學(xué)芯片應(yīng)用,拓展其在光子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。未來(lái),科研團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)深入研究,挖掘‘晶格傳質(zhì)-界面生長(zhǎng)’范式的更多潛力,推動(dòng)其在新材料制備、新應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用!眲㈤_輝說。
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