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70N10-HG010N10L 高壓場(chǎng)效應(yīng)MOS管TO-252封裝散熱好抗雪崩能力強(qiáng)

發(fā)布時(shí)間：2024-6-11 10:48 發(fā)布者：HHZHOUQIN

關(guān)鍵詞： 70N10-HG010N10L , 散熱好 , 抗雪崩能力強(qiáng)

概述

FSMOS®MOSFET基于惠海半導(dǎo)體的器件設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)低功耗RDS（ON）、低柵極電荷、快速切換和優(yōu)異的雪崩特性。低Vth系列是專門為具有低驅(qū)動(dòng)電壓的同步整流系統(tǒng)而優(yōu)化的。

特征

RDS（ON）和FOM低

低開關(guān)損耗

卓越的可靠性和一致性

快速切換和軟恢復(fù)

應(yīng)用

PD充電器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器

DC-DC轉(zhuǎn)換器

開關(guān)電源

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