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升壓恒壓芯片IC的工作原理主要基于電感和電容的存儲能量特性，以及脈寬調(diào)制（PWM）技術。在升壓過程中，芯片內(nèi)部包含了如輸入濾波電容、續(xù)流二極管、升壓電感、開關管、輸出濾波電容等部分。當開關管處于導通狀態(tài)時，電感中的電流會增加，電荷能量被儲存到電容器中。當開關管關閉時，由于電感中的電流不能瞬間消失，會產(chǎn)生一個電感電動勢，從而在電容器上加上一個高電壓，實現(xiàn)輸出電壓的升高。 對于您提到的2.6-5V升至12V/18V的方案，這種升壓芯片IC內(nèi)置了MOS（金屬氧化物半導體），從而能夠高效地實現(xiàn)電壓的轉換。高效率通常是通過優(yōu)化芯片內(nèi)部電路和采用先進的控制算法來實現(xiàn)的，而低功耗則可能是通過降低芯片的工作電流、減少開關損耗和提高電源轉換效率來實現(xiàn)的。 在升壓過程中，PWM技術用于控制開關管的開關頻率和占空比，從而調(diào)節(jié)輸出電壓的大小。當占空比增加時，輸出電壓也會相應增加。通過這種方式，可以精確地控制輸出電壓，以滿足特定的應用需求。 此外，升壓恒壓芯片IC通常還具備多種保護機制，如逐周期的限流保護、輸出過壓保護和過溫保護等，以確保芯片在異常工作條件下能夠安全地關閉輸出，保護電源系統(tǒng)以及輸出負載不受損害。 惠海 H6391 升壓恒壓芯片IC 2.6-5V升12V/18V方案 內(nèi)置MOS 高效率 低功耗 產(chǎn)品描述 H6391是一款外圍簡單的電流模式升壓DC-DC轉換器，適用于2.6-5V輸入電壓范圍的升壓恒壓電源應用領域。芯片內(nèi)置18V/0.2Ω功率MOSFET，它的PWM控制電路可提高電源系統(tǒng)效率，內(nèi)部補償網(wǎng)絡可以優(yōu)化外部最多7個組件。芯片內(nèi)部誤差放大器反相輸入連接到0.6V參考電壓做比較，滿足±4%精度的輸出電壓。芯片內(nèi)部集成了軟啟動功能可以降低輸入的浪涌電流。芯片可通過EN腳實現(xiàn)低待機關機功能，當EN腳接VIN的時候，系統(tǒng)正常工作，當EN腳位被拉低，系統(tǒng)關機，此時流入芯片內(nèi)部的電流小于0.1uA，進入低功耗待機模式。 H6391采用SOT23-6封裝，可為產(chǎn)品應用節(jié)省了PCB空間。 產(chǎn)品特征 l 輸出可調(diào)，最高可達12V l 可調(diào)過電流保護:1.2~2.5A l 內(nèi)置18V耐壓MOS l 超低待機功耗<0.1uA l 芯片恒壓精度≤±4％ l 固定工作頻率1MHz l 支持過溫保護功能 典型應用 l 鋰電池升壓恒壓電源 l 充電器 l 數(shù)碼相機 l 手持設備 l 移動設備供電 l 液晶顯示器 l 便便攜式電子產(chǎn)品 l 音頻功放供電 應用電路原理圖 
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