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來源：集微網(wǎng) 近日美國商務部更新半導體出口管制新規(guī)，包括加入對EUV掩膜、刻蝕機等制造環(huán)節(jié)設備的管控，新增對中國澳門地區(qū)及D:5組地區(qū)采取“推定拒絕”的政策，以及重新澄清AI芯片許可證及其例外情況的適用范圍等，預計新規(guī)于美國當?shù)貢r間4月4日生效，對新規(guī)的評議截止日期為4月29日。 
據(jù)浙商電子等研報顯示，美國BIS更新的對華出口管制新規(guī)的核心變化包括： 第一，新增管制EUV掩膜基板。尤其是為EUV光刻設計的掩膜基板被正式納入了相關(guān)的出口控制類別，并且需要遵守相應的出口許可要求。 第二，更新特定地區(qū)出口政策。對于中國澳門或國家組D:5目的地的出口、再出口或國內(nèi)轉(zhuǎn)移，需要獲得出口許可證，其中包括最終用途和最終用戶的審查，并采取“假定拒絕”政策。 第三，明確部分技術(shù)關(guān)鍵參數(shù)。對于集成電路的“總處理性能”（TPP）和“性能密度（PD）”定義及計算方法進行進一步明確。其中，TPP是基于MacTOPS（百萬次乘積累加操作每秒）的理論峰值計算，性能密度是TPP除以適用的芯片面積。 第四，補充整機產(chǎn)品的限制。計算機、電子組件和組件若包含特定性能參數(shù)的集成電路，比如總處理性能或性能密度超出范疇，則需要接受出口管制。 第五，增加逐案審查政策。對包括AI在內(nèi)的高性能芯片和相關(guān)制造技術(shù)的出口，采取“逐案審查”政策，并將考慮技術(shù)級別、客戶身份、合規(guī)計劃和合同的規(guī)范性等多種因素。 其中，新規(guī)對高性能AI芯片的界定是關(guān)鍵重點。 中泰電子的研報顯示，美國商務部對高性能芯片的定義（3A090）標準，仍是基于2023年10月的更新，即：（1）TPP（注：總處理性能）≥4800；（2）TPP≥1600且PD（注：性能密度）≥5.92；（3）2400≤TPP＜4800且1.6≤PD＜5.92；（4）TPP≥1600且3.2≤PD小于5.92。 同時，其多項重要更新還包括：添加3A001.z段落，新增對MMIC放大器和離散微波晶體管的控制，特定用于民用電信應用的設備除外；對于半導體設備（3B001）的修訂，對分子束外延生長設備、化學氣相沉積（CVD）設備、原子層沉積（ALD）設備等增加了新的控制措施；澄清某些條款，以確保出口、再出口或國內(nèi)轉(zhuǎn)移物品符合特定許可例外的條件等。 另外，新規(guī)還提及關(guān)于先進計算設備、超級計算機和半導體最終用途的額外出口控制，即對向中國出口芯片的限制也適用于包含相關(guān)芯片的筆記本電腦等。 此前中國商務部發(fā)言人對“美國修訂半導體出口管制措施”回應稱，中方注意到，美方修訂了半導體出口管制措施，這距離美上次出臺措施僅半年不到。包括美國企業(yè)在內(nèi)的各國企業(yè)都希望有一個穩(wěn)定、可預期的經(jīng)營環(huán)境。美方泛化國家安全概念，肆意修改規(guī)則，加嚴管制措施，不僅給中美兩國企業(yè)開展正常經(jīng)貿(mào)合作設置了更多的障礙，施加了更重的合規(guī)負擔，還給全球半導體產(chǎn)業(yè)造成了巨大的不確定性。這嚴重影響中外企業(yè)開展互利合作，損害其正當合法權(quán)益。中方對此堅決反對。 中國商務部發(fā)言人表示，半導體產(chǎn)業(yè)高度全球化，經(jīng)過數(shù)十年發(fā)展，已形成你中有我、我中有你的產(chǎn)業(yè)格局，這是市場規(guī)律和企業(yè)選擇共同作用的結(jié)果。中國是全球最大的半導體市場。中方愿與各方一道，加強互利合作，促進全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的安全與穩(wěn)定。 |
