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30V 60V 100V 150V 200V耐壓mos管 [惠海半導(dǎo)體] 100vmos管

發(fā)布時(shí)間:2024-3-13 16:56    發(fā)布者:惠海IC
關(guān)鍵詞: MOS管

惠海半導(dǎo)體專業(yè)從事30-150V中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,性價(jià)比高,量產(chǎn)穩(wěn)定成熟,提供方案及技術(shù)支持。
惠海半導(dǎo)體MOS管采用SGT工藝,性能優(yōu)越,品質(zhì)好,具有高頻率、大電流、低開(kāi)啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過(guò)電流大、抗沖擊能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)損耗小等的優(yōu)點(diǎn)。
惠海半導(dǎo)體中低壓場(chǎng)效率管(MOSFET
【惠海MOS管常規(guī)封裝】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220TO-263、DNF3*3
【惠海MOS管常規(guī)型號(hào)】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mosSOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos

更多型號(hào)如下:
型號(hào):HG160N10LS N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310 100V3A 3N10 SOT23-3封裝 內(nèi)阻200mR SGT工藝
型號(hào):HG021N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印 HG25N10 100V25A T0-252封裝 內(nèi)阻25mR SGT工藝
型號(hào):HG160N10LS N溝道場(chǎng)應(yīng)管 絲印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封裝 內(nèi)阻155mR
型號(hào):HG085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15A SOT89 封裝 內(nèi)阻70mR
型號(hào):HG160N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V10A(10N10) TO-252封裝 內(nèi)阻145mR
30V 10A MOSTO-252封裝10N50 MOS原廠庫(kù)存現(xiàn)貨TO252 89-5 SOT-23
HG10N30  30V 10A TO-252 N溝道 MOS-場(chǎng)效率管
HG15N10  15A  100V  N溝道 MOS-場(chǎng)效率管
HG35N06  35A 60V  N溝道 MOS-場(chǎng)效率管
HG50N06  50A 60V N溝道 MOS-場(chǎng)效率管
HG10N50  30V 10A TO-252 N溝道 MOS-場(chǎng)效率管
20V MOS N溝道  
HG05N20:20V 5.2A SOT-23 N溝道 MOS
30V MOS N溝道  
HG02N0330V 5.8A SOT23 N溝道 MOS
HG02N03002N0430V 20A SOT-89 N溝道 MOS
HG02N03002NL30V 10A TO-252 N溝道 MOS
HG02N032N03L30V 85A TO-252 N溝道 MOS
40V MOS N溝道  
HG02N03002N340V 10A SOP8 N溝道 MOS
60V MOS N溝道  
HG02N03002N5L: 60V 3A SOT23 N溝道 MOS
HG02N0305N03L60V 50A TO-252 N溝道 MOS
100V MOS N溝道   
HG02N035N03L: 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS
HG02N039N03L: 100V 8A SOT-89 N溝道MOS
HG02N0300803L: 100V 3A SOT-23S N溝道MOS
HG02N03:100V 3A SOT-89 N溝道 MOS
HG02N0312N03L:100V 15A TO-252 N溝道 MOS

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