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SI9945AEY-T1-E3-VB一款2個(gè)N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

發(fā)布時(shí)間:2024-1-10 15:45    發(fā)布者:VBsemi
關(guān)鍵詞: SI9945AEY-T1-E3 , VBsemi , mosfet
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)參數(shù)說明:極性:2個(gè)N溝道;額定電壓:60V;最大電流:6A;導(dǎo)通電阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;門源電壓范圍:20Vgs (±V)閾值電壓:1.5V;封裝:SOP8

應(yīng)用簡介:SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638) 是一款雙N溝道MOSFET,適用于需要雙通道電流控制的應(yīng)用。
其低導(dǎo)通電阻和高額定電壓適用于高性能應(yīng)用。
常用于電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、H橋控制等。
優(yōu)勢(shì):雙通道應(yīng)用:適用于需要雙通道電流控制的電路。
低導(dǎo)通電阻:降低功耗,提高效率。
適用封裝:SOP8封裝適合中等功率應(yīng)用。
適用模塊:SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638) 適用于雙通道電流控制模塊,如H橋電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊等。


SI9945AEY-T1-E3.pdf

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SI9945AEY-T1-E3

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