有助于處理器封裝小型化和逐步高頻化的電路設(shè)計 
株式會社村田制作所（以下簡稱“村田”）已開發(fā)出面向汽車ECU（電子控制單元）中使用的處理器、超�。�0.5mm×1.0mm）且超薄(2)的LW逆轉(zhuǎn)低ESL片狀多層陶瓷電容器(3)“LLC15SD70E105ME01”（以下簡稱“本產(chǎn)品”），并于9月開始量產(chǎn)。 (1) 本公司調(diào)查結(jié)果。截至2023年10月25日。 (2) T尺寸標準值：0.16 ± 0.02 mm（厚度為最大0.18 mm）。 (3) 與普通多層陶瓷電容器不同，該電容器通過在貼片寬度較窄方向的兩端形成外部電極、縮短電極之間的距離并加寬電極寬度來實現(xiàn)低ESL。 近年來，隨著ADAS（高級駕駛員輔助系統(tǒng)）和無人駕駛的進步，每輛汽車中配備的處理器數(shù)量不斷增加，為確保其正常工作而配備的多層陶瓷電容器的數(shù)量也在增加。在這種趨勢下，為了減少面積并提高可靠性，面向汽車的多層陶瓷電容器通過小型化、大容量化及低ESL(4)化來改善高頻特性的需求不斷增加。 (4) ESL（Equivalent Series Inductance）：等效串聯(lián)電感。 ESL是電容器在高頻時的主要阻抗成分，降低電容器的ESL有助于改善電子電路的高頻特性。 村田利用特有的、通過陶瓷及電極材料的微�；⒕|(zhì)化實現(xiàn)的薄層成型技術(shù)和高精度層壓技術(shù)，在0.5mm x 1.0mm尺寸的LW逆轉(zhuǎn)低ESL片狀多層陶瓷電容器中率先實現(xiàn)了超薄的0.18mm(最大值)和1.0uF的容量。它比現(xiàn)有產(chǎn)品更薄，因此可以直接安裝在處理器封裝的背面和主電路板上更狹窄的空間中，有助于處理器封裝的進一步小型化。此外，通過將電容器安裝在處理器封裝的背面，電容器和處理器晶片之間的距離比以前的側(cè)面配置更近，因此可以進一步降低阻抗，幫助實現(xiàn)設(shè)計高頻特性更好的電路。 普通獨石陶瓷電容器（左）與LW逆轉(zhuǎn)電容器（右）的結(jié)構(gòu)：
貼裝于處理器封裝背面的示意圖：
村田今后將繼續(xù)致力于開發(fā)滿足市場需求的產(chǎn)品、擴大產(chǎn)品陣容，為汽車的高性能化和高功能化做貢獻。 主要規(guī)格
產(chǎn)品網(wǎng)站 本產(chǎn)品的詳情請參閱LW逆轉(zhuǎn)低ESL多層陶瓷電容器“LLC15SD70E105ME01”。 由此參閱LLC系列的詳情。 |
