有助于處理器封裝小型化和逐步高頻化的電路設(shè)計(jì) 
株式會(huì)社村田制作所（以下簡(jiǎn)稱“村田”）已開發(fā)出面向汽車ECU（電子控制單元）中使用的處理器、超�。�0.5mm×1.0mm）且超薄(2)的LW逆轉(zhuǎn)低ESL片狀多層陶瓷電容器(3)“LLC15SD70E105ME01”（以下簡(jiǎn)稱“本產(chǎn)品”），并于9月開始量產(chǎn)。 (1) 本公司調(diào)查結(jié)果。截至2023年10月25日。 (2) T尺寸標(biāo)準(zhǔn)值：0.16 ± 0.02 mm（厚度為最大0.18 mm）。 (3) 與普通多層陶瓷電容器不同，該電容器通過(guò)在貼片寬度較窄方向的兩端形成外部電極、縮短電極之間的距離并加寬電極寬度來(lái)實(shí)現(xiàn)低ESL。 近年來(lái)，隨著ADAS（高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)）和無(wú)人駕駛的進(jìn)步，每輛汽車中配備的處理器數(shù)量不斷增加，為確保其正常工作而配備的多層陶瓷電容器的數(shù)量也在增加。在這種趨勢(shì)下，為了減少面積并提高可靠性，面向汽車的多層陶瓷電容器通過(guò)小型化、大容量化及低ESL(4)化來(lái)改善高頻特性的需求不斷增加。 (4) ESL（Equivalent Series Inductance）：等效串聯(lián)電感。 ESL是電容器在高頻時(shí)的主要阻抗成分，降低電容器的ESL有助于改善電子電路的高頻特性。 村田利用特有的、通過(guò)陶瓷及電極材料的微粒化、均質(zhì)化實(shí)現(xiàn)的薄層成型技術(shù)和高精度層壓技術(shù)，在0.5mm x 1.0mm尺寸的LW逆轉(zhuǎn)低ESL片狀多層陶瓷電容器中率先實(shí)現(xiàn)了超薄的0.18mm(最大值)和1.0uF的容量。它比現(xiàn)有產(chǎn)品更薄，因此可以直接安裝在處理器封裝的背面和主電路板上更狹窄的空間中，有助于處理器封裝的進(jìn)一步小型化。此外，通過(guò)將電容器安裝在處理器封裝的背面，電容器和處理器晶片之間的距離比以前的側(cè)面配置更近，因此可以進(jìn)一步降低阻抗，幫助實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)高頻特性更好的電路。 普通獨(dú)石陶瓷電容器（左）與LW逆轉(zhuǎn)電容器（右）的結(jié)構(gòu)：
貼裝于處理器封裝背面的示意圖：
村田今后將繼續(xù)致力于開發(fā)滿足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品、擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，為汽車的高性能化和高功能化做貢獻(xiàn)。 主要規(guī)格
產(chǎn)品網(wǎng)站 本產(chǎn)品的詳情請(qǐng)參閱LW逆轉(zhuǎn)低ESL多層陶瓷電容器“LLC15SD70E105ME01”。 由此參閱LLC系列的詳情。 |
