碳化硅MOS要推出6500V

國(guó)產(chǎn)SICMOS擁有全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)

碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913

6500V 耐壓 牛

國(guó)產(chǎn)SICMOS 頂起

碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性  電子工程網(wǎng)  http://m.54549.cn/thread-841262-1-1.html

國(guó)產(chǎn)SICMOS  牛

有碳化硅MOS晶圓

碳化硅MOS單管、晶圓芯片，全SiC 模塊

3300V 高壓MOS

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng)  http://m.54549.cn/thread-838162-1-1.html

碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)及特點(diǎn)(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957  

SiC MOSFET國(guó)產(chǎn)化器件替代后導(dǎo)通時(shí)間、驅(qū)動(dòng)損耗及負(fù)壓幅值變化的相關(guān)分析 - 知乎
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