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2011年11月5日于愛達(dá)荷州博伊西（GLOBENEWSWIRE）--MicronTechnology,Inc.今日宣布推出新的LRDIMM（降低負(fù)荷雙列直插式內(nèi)存模塊）產(chǎn)品組合，新增64GB系列產(chǎn)品。除了已經(jīng)受到幾個客戶大批量的試用8GB、16GB和32GB的標(biāo)準(zhǔn)容量，Micron又另推出64GBLRDIMM，以滿足服務(wù)器對存儲容量日益增長的需求。 Micron繼續(xù)領(lǐng)先存儲市場，其新產(chǎn)品的存儲容量增加了百分之50，使服務(wù)器應(yīng)用性能提升百分之33。這有助于改善系統(tǒng)的可擴(kuò)展性，大幅提高云計算、高效計算、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、交易數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)分析能力，與此同時，每一DIMM單位的耗電比以往的標(biāo)準(zhǔn)模塊減少幾乎百分之10。 之前的標(biāo)準(zhǔn)緩存DIMMs(RDIMMs)的負(fù)荷能力由于在虛擬計算環(huán)境中可獲得的存儲空間有限而受到限制。LRDIMMs能降低服務(wù)器存儲總線負(fù)荷，提高數(shù)據(jù)處理頻率和存儲容量。 MicronDRAM解決方案事業(yè)群的營銷副總監(jiān)RobertFeurle說：“LRDIMM技術(shù)將改變DRAM內(nèi)存在服務(wù)器上的利用方式，讓數(shù)據(jù)中心在不增加中央處理器（CPU）數(shù)量的情況下能支持更多占用存儲空間的應(yīng)用程序。” LRDIMM若搭配適當(dāng)?shù)姆⻊?wù)器虛擬化策略，能夠使基礎(chǔ)設(shè)施效能最大化，并優(yōu)化投資報酬。例如，使用Inphi的隔離存儲緩沖（iMB(TM)）芯片替代緩存器，Micron的LRDIMM可減少目前DDR3服務(wù)器雙列模塊的負(fù)荷兩倍，四列模塊的負(fù)荷四倍。 InphiCorporation的營銷、計算和存儲事業(yè)副總裁PaulWashkewicz說：“通過與Micron這樣居于領(lǐng)到地位的公司合作，我們很高興看到LRDIMM技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。在過去兩年中，和關(guān)鍵伙伴Micron合作，利用本公司的隔離存儲緩沖（iMB(TM)）技術(shù)開發(fā)了LRDIMM。雙方的努力大幅提高了DDR3服務(wù)器系統(tǒng)的存儲容量和效能，廣受數(shù)據(jù)中心歡迎�！� 新平臺的開發(fā)強(qiáng)化了服務(wù)器網(wǎng)絡(luò)的可擴(kuò)展性和虛擬化程度，應(yīng)用程序日后將能夠更好的利用MicronLRDIMM產(chǎn)品所提供的競爭優(yōu)勢。Supermicro(R)SuperServer(R)解決方案是首個支持LRDIMM系列產(chǎn)品的平臺。 Supermicro的國際業(yè)務(wù)副總WallyLiaw說：“Supermicro以最適合應(yīng)用程序、最高效的服務(wù)器解決方案領(lǐng)先市場。整合Micron先進(jìn)的LRDIMM技術(shù)提高了我們的優(yōu)勢，另外提供高容量而高速的存儲選擇。SupermicroLRDIMM相容的SuperServer解決方案提供客戶更佳的存儲密度、速度和效率，提供符合成本效益、提高競爭力的企業(yè)優(yōu)勢。” Micron的新LRDIMM樣本現(xiàn)有8GB、16GB和32GB三種容量，64GB模塊樣本預(yù)計于2012年2月推出。 |
