模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，擴展其SubstrateXtractor工具應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝開發(fā)的工具，新增了其對XT018 180nm BCD-on-SOI工藝的支持，作為Bulk CMOS工藝外的一項補充。通過使用新的SubstrateXtractor升級版本，可以加速SOI相關(guān)的產(chǎn)品開發(fā)，避免多次迭代。
圖為X-FAB工程師正在使用襯底耦合分析工具 最初的SubstrateXtractor由X-FAB與EDA合作伙伴PN Solutions（基于其廣泛使用的PNAware產(chǎn)品）合作開發(fā)，于2019年發(fā)布。利用這一工具，客戶能夠解決半導(dǎo)體襯底內(nèi)有源和無源元件間相互作用所造成的耦合問題（無論這些元件作為電路本身的一部分，還是以寄生方式存在）---其所帶來的顯著優(yōu)勢使客戶的項目能夠更迅速地進(jìn)入市場。PN Solutions的PNAwareRC工具支持SOI工藝，由此進(jìn)一步增強了平臺的功能并擴大了其吸引力。 X-FAB的XT018工藝BOX/DTI功能可以將芯片上的組成功能模塊相互隔離，適用于需要與數(shù)字模塊去耦合的敏感模擬模塊，或必須與高壓驅(qū)動電路隔離的低噪聲放大器。此工藝也使得多通道的設(shè)計實現(xiàn)更加容易，因為XT018中的電路被有效地放置在其自身獨立的襯底中，從而減少了串?dāng)_。 在基于SOI的集成電路中，利用SubstrateXtractor實現(xiàn)襯底耦合分析的能力對于客戶來說極具價值。雖然SOI工藝中的有源部分可以通過BOX和DTI完全介電隔離，有源部分被隔離之后就如同各自孤立一般，但無源R和C耦合仍然可能存在。得益于這一升級版新工具，可以為DTI和BOX產(chǎn)生的橫向和縱向耦合路徑提取無源RC網(wǎng)絡(luò)，并經(jīng)由對無源耦合網(wǎng)絡(luò)的仿真，評估它們對集成電路的影響。此類新增的版圖后抽取寄生的關(guān)鍵應(yīng)用，包括工業(yè)及汽車系統(tǒng)中使用的大電流和高電壓器件等。 “消除襯底耦合是一項具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。通過支持對我們XT018 BCD-on-SOI工藝相關(guān)的寄生元素的提取，客戶將能夠模擬電路模塊的耦合，并識別對性能不利的干擾因素�！盭-FAB設(shè)計支持總監(jiān)Lars Bergmann表示，“在涉及非常大的干擾電壓或在個位數(shù)GHz范圍內(nèi)的高頻情況下，這一功能擴展將極具意義�！� 縮略語： BOX 埋入式氧化物 BCD Bipolar CMOS DMOS DTI 深槽隔離 EDA 電子設(shè)計自動化 RC 電阻-電容 SOI 絕緣體上硅 |
