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采用IGBT設(shè)計(jì)UPS的技術(shù)方案

發(fā)布時(shí)間:2011-10-18 10:50    發(fā)布者:1046235000
關(guān)鍵詞: IGBT , UPS , 電源管理
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅IGBT,IGBT 既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選,只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì),才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。IGBT在UPS中的應(yīng)用情況

        絕緣柵雙極型晶體管IGBT是一種MOSFET 與雙極晶體管復(fù)合的器件。它既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。據(jù)東芝公司資料,1200V/100A 的IGBT 的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率MOSFET 的1/10,而開關(guān)時(shí)間是同規(guī)格GTR 的1/10。由于這些優(yōu)點(diǎn),IGBT廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)(UPS)的設(shè)計(jì)中。這種使用IGBT的在線式UPS具有效率高,抗沖擊能力強(qiáng)、可靠性高的顯著優(yōu)點(diǎn)。
        UPS主要有后備式、在線互動(dòng)式和在線式三種結(jié)構(gòu)。在線式UPS 以其可靠性高,輸出電壓穩(wěn)定,無中斷時(shí)間等顯著優(yōu)點(diǎn),廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機(jī)關(guān)的機(jī)房中。本文以在線式為介紹對(duì)象,介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用。


圖1 在線式不間斷電源主電路圖

        圖1 為在線式UPS 的主電路,在線式UPS 電源具有獨(dú)立的旁路開關(guān)、AC/DC 整流器、充電器、DC/AC 逆變器等系統(tǒng),工作原理是:市電正常時(shí)AC/DC 整流器將交流電整流成直流電,同時(shí)對(duì)蓄電池進(jìn)行充電,再經(jīng)DC/AC 逆變器將直流電逆變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)正弦波交流電,市電異常時(shí),電池對(duì)逆變器供電,在UPS 發(fā)生故障時(shí)將輸出轉(zhuǎn)為旁路供電。在線式UPS輸出的電壓和頻率最為穩(wěn)定,能為用戶提供真正高質(zhì)量的正弦波電源。
a.旁路開關(guān)(AC BYPASS SWITCH)

        旁路開關(guān)常使用繼電器和可控硅。繼電器在中小功率的UPS 中廣泛應(yīng)用。優(yōu)點(diǎn)是控制簡(jiǎn)單,成本低,缺點(diǎn)是繼電器有轉(zhuǎn)換時(shí)間,還有就是機(jī)電器件的壽命問題?煽毓璩R娪谥写蠊β蔝PS 中。優(yōu)點(diǎn)是控制電流大,沒有切換時(shí)間。但缺點(diǎn)就是控制復(fù)雜,且由于可控硅的觸發(fā)工作特性,在觸發(fā)導(dǎo)通后要在反向偏置后才能關(guān)斷,這樣就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)最大10ms 的環(huán)流電流,如圖2。如果采用IGBT,如圖3,則可以避免這個(gè)問題,使用IGBT 有控制簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn),但成本較高。其工作原理為:當(dāng)輸入為正半周時(shí),電流流經(jīng)Q1、D2,負(fù)半周時(shí)電流流經(jīng)D1、Q2。



b.整流器AC/DC

        UPS 整流電路分為普通橋堆整流、SCR 相控整流和PFC 高頻功率因數(shù)校正的整流器。傳統(tǒng)的整流器由于基頻為50HZ,濾波器的體積重量較重,隨著UPS 技術(shù)的發(fā)展和各國(guó)對(duì)電源輸入功率因數(shù)要求,采用PFC 功率因數(shù)校正的UPS 日益普及,PFC 電路工作的基頻至少20KHZ,使用的濾波器電感和濾波電容的體積重量大大減少,不必加諧波濾波器就可使輸入功率因數(shù)達(dá)到0.99,PFC 電路中常用IGBT 作為功率器件,應(yīng)用IGBT 的PFC 整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
c.充電器

        UPS 的充電器常用的有反激式、BOOST 升壓式和半橋式。大電流充電器中可采用單管IGBT,用于功率控制,可以取得很高的效率和較大的充電電流。
d.DC/AC 逆變器

        3KVA 以上功率的在線式UPS 幾乎全部采用IGBT 作為逆變部分的功率器件,常用全橋式電路和半橋電路,如下圖4。

IGBT 損壞的原因

        UPS 在使用過程中,經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊、過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,以及UPS 的誤操作,可能導(dǎo)致IGBT 損壞。IGBT 在使用時(shí)的損壞原因主要有以下幾種情況:
a.過電流損壞;

        IGBT 有一定抗過電流能力,但必須注意防止過電流損壞。IGBT 復(fù)合器件內(nèi)有一個(gè)寄生晶閘管,所以有擎住效應(yīng)。圖5 為一個(gè)IGBT 的等效電路,在規(guī)定的漏極電流范圍內(nèi),NPN 的正偏壓不足以使NPN 晶體管導(dǎo)通,當(dāng)漏極電流大到一定程度時(shí),這個(gè)正偏壓足以使NPN 晶體管開通,進(jìn)而使NPN 和PNP 晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管開通,門極失去了控制作用,便發(fā)生了擎住效應(yīng)。IGBT 發(fā)生擎住效應(yīng)后,漏極電流過大造成了過高的功耗,最后導(dǎo)致器件的損壞。

b.過電壓損壞;

        IGBT 在關(guān)斷時(shí),由于逆變電路中存在電感成分,關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓,如果尖峰電壓過壓則可能造成IGBT 擊穿損壞。

c.橋臂共導(dǎo)損壞;
d.過熱損壞和靜電損壞。
IGBT 損壞的解決對(duì)策

a.過電流損壞

        為了避免IGBT 發(fā)生擎住效應(yīng)而損壞,電路設(shè)計(jì)中應(yīng)保證IGBT 的最大工作電流應(yīng)不超過IGBT 的IDM 值,同時(shí)注意可適當(dāng)加大驅(qū)動(dòng)電阻RG 的辦法延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間,減小IGBT 的di/dt。驅(qū)動(dòng)電壓的大小也會(huì)影響IGBT 的擎住效應(yīng),驅(qū)動(dòng)電壓低,承受過電流時(shí)間長(zhǎng),IGBT 必須加負(fù)偏壓,IGBT 生產(chǎn)廠家一般推薦加-5V 左右的反偏電壓。在有負(fù)偏壓情況下,驅(qū)動(dòng)正電壓在10—15V 之間,漏極電流可在5~10μs 內(nèi)超過額定電流的4~10 倍,所以驅(qū)動(dòng)IGBT 必須設(shè)計(jì)負(fù)偏壓。由于UPS 負(fù)載沖擊特性各不相同,且供電的設(shè)備可能發(fā)生電源故障短路,所以在UPS 設(shè)計(jì)中采取限流措施進(jìn)行IGBT的電流限制也是必須的,可考慮采用IGBT 廠家提供的驅(qū)動(dòng)厚膜電路。如FUJI 公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它們對(duì)IGBT 的集電極電壓進(jìn)行檢測(cè),如果IGBT 發(fā)生過電流,內(nèi)部電路進(jìn)行關(guān)閉驅(qū)動(dòng)。這種辦法有時(shí)還是不能保護(hù)IGBT,根據(jù)IR 公司的資料,IR 公司推薦的短路保護(hù)方法是:首先檢測(cè)通態(tài)壓降Vce,如果Vce 超過設(shè)定值,保護(hù)電路馬上將驅(qū)動(dòng)電壓降為8V,于是IGBT 由飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)入放大區(qū),通態(tài)電阻增大,短路電路減削,經(jīng)過4us 連續(xù)檢測(cè)通態(tài)壓降Vce,如果正常,將驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)正常,如果未恢復(fù),將驅(qū)動(dòng)關(guān)閉,使集電極電流減為零,這樣實(shí)現(xiàn)短路電流軟關(guān)斷,可以避免快速關(guān)斷造成的過大di/dt 損壞IGBT,另外根據(jù)最新三菱公司IGBT 資料,三菱推出的F 系列IGBT 的均內(nèi)含過流限流電路(RTC circuit),如圖6,當(dāng)發(fā)生過電流,10us 內(nèi)將IGBT 的啟動(dòng)電壓減為9V,配合M57160AL 驅(qū)動(dòng)厚膜電路可以快速軟關(guān)斷保護(hù)IGBT。



b.過電壓損壞

        防止過電壓損壞方法有:優(yōu)化主電路的工藝結(jié)構(gòu),通過縮小大電流回路的路徑來減小線路寄生電感;適當(dāng)增加IGBT 驅(qū)動(dòng)電阻Rg 使開關(guān)速度減慢(但開關(guān)損耗也增加了);設(shè)計(jì)緩沖電路,對(duì)尖峰電壓進(jìn)行抑制。用于緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管,電容必須是高頻、損耗小,頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路;仞伿接钟袩o源式和有源式兩種,詳細(xì)電路設(shè)計(jì)可參見所選用器件的技術(shù)手冊(cè)。

c.橋臂共導(dǎo)損壞

        在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個(gè)驅(qū)動(dòng)必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時(shí)間(即共同不導(dǎo)通時(shí)間)。如果發(fā)生共導(dǎo),IGBT 會(huì)迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運(yùn)行狀況下的驅(qū)動(dòng)問題控制時(shí)序問題。

d.過熱損壞

        可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞的問題。此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。

結(jié)論

a.IGBT 兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn),是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

b.只有合理運(yùn)用IGBT,并采取有效的保護(hù)方案,才可能



其它內(nèi)容參見:IGBT 系統(tǒng)設(shè)計(jì)攻略
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1770309616 發(fā)表于 2012-2-25 10:42:51
不間斷電源(UPS)中IGBT的應(yīng)用  

  1.引言

  在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的首選,只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì),才能發(fā)揮IGBT的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。
  2.IGBT在UPS中的應(yīng)用情況
  絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合的器件。它既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。據(jù)東芝公司資料,1200V/100A的IGBT的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率MOSFET的1/10,而開關(guān)時(shí)間是同規(guī)格GTR的1/10。由于這些優(yōu)點(diǎn),IGBT廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)(UPS)的設(shè)計(jì)中。這種使用IGBT的在線式UPS具有效率高,抗沖擊能力強(qiáng)、可靠性高的顯著優(yōu)點(diǎn)。
  UPS主要有后備式、在線互動(dòng)式和在線式三種結(jié)構(gòu)。在線式UPS以其可靠性高,輸出電壓穩(wěn)定,無中斷時(shí)間等顯著優(yōu)點(diǎn),廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機(jī)關(guān)的機(jī)房中。本文以在線式為介紹對(duì)象,介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用。
  在線式UPS電源具有獨(dú)立的旁路開關(guān)、AC/DC整流器、充電器、DC/AC逆變器等系統(tǒng),工作原理是:市電正常時(shí)AC/DC整流器將交流電整流成直流電,同時(shí)對(duì)蓄電池進(jìn)行充電,再經(jīng)DC/AC逆變器將直流電逆變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)正弦波交流電,市電異常時(shí),電池對(duì)逆變器供電,在UPS發(fā)生故障時(shí)將輸出轉(zhuǎn)為旁路供電。在線式UPS輸出的電壓和頻率最為穩(wěn)定,能為用戶提供真正高質(zhì)量的正弦波電源。
  ①旁路開關(guān)(ACBYPASSSWITCH)
  旁路開關(guān)常使用繼電器和可控硅。繼電器在中小功率的UPS中廣泛應(yīng)用。優(yōu)點(diǎn)是控制簡(jiǎn)單,成本低,缺點(diǎn)是繼電器有轉(zhuǎn)換時(shí)間,還有就是機(jī)電器件的壽命問題?煽毓璩R娪谥写蠊β蔝PS中。優(yōu)點(diǎn)是控制電流大,沒有切換時(shí)間。但缺點(diǎn)就是控制復(fù)雜,且由于可控硅的觸發(fā)工作特性,在觸發(fā)導(dǎo)通后要在反向偏置后才能關(guān)斷,這樣就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)最大10ms的環(huán)流電流。如果采用IGBT,則可以避免這個(gè)問題,使用IGBT有控制簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn),但成本較高。其工作原理為:當(dāng)輸入為正半周時(shí),電流流經(jīng)Q1、D2,負(fù)半周時(shí)電流流經(jīng)D1、Q2。
 、谡髌鰽C/DC
  UPS整流電路分為普通橋堆整流、SCR相控整流和PFC高頻功率因數(shù)校正的整流器。傳統(tǒng)的整流器由于基頻為50HZ,濾波器的體積重量較重,隨著UPS技術(shù)的發(fā)展和各國(guó)對(duì)電源輸入功率因數(shù)要求,采用PFC功率因數(shù)校正的UPS日益普及,PFC電路工作的基頻至少20KHZ,使用的濾波器電感和濾波電容的體積重量大大減少,不必加諧波濾波器就可使輸入功率因數(shù)達(dá)到0.99,PFC電路中常用IGBT作為功率器件,應(yīng)用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
 、鄢潆娖
  UPS的充電器常用的有反激式、BOOST升壓式和半橋式。大電流充電器中可采用單管IGBT,用于功率控制,可以取得很高的效率和較大的充電電流。
  ④DC/AC逆變器
  3KVA以上功率的在線式UPS幾乎全部采用IGBT作為逆變部分的功率器件,常用全橋式電路和半橋電路。

  3.IGBT損壞的原因
  UPS在使用過程中,經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊、過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,以及UPS的誤操作,可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT在使用時(shí)的損壞原因主要有以下幾種情況:
 、龠^電流損壞;
  IGBT有一定抗過電流能力,但必須注意防止過電流損壞。IGBT復(fù)合器件內(nèi)有一個(gè)寄生晶閘管,所以有擎住效應(yīng)。圖5為一個(gè)IGBT的等效電路,在規(guī)定的漏極電流范圍內(nèi),NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導(dǎo)通,當(dāng)漏極電流大到一定程度時(shí),這個(gè)正偏壓足以使NPN晶體管開通,進(jìn)而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管開通,門極失去了控制作用,便發(fā)生了擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后,漏極電流過大造成了過高的功耗,最后導(dǎo)致器件的損壞。
 、谶^電壓損壞;
  IGBT在關(guān)斷時(shí),由于逆變電路中存在電感成分,關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓,如果尖峰電壓過壓則可能造成IGBT擊穿損壞。
 、蹣虮酃矊(dǎo)損壞;
 、苓^熱損壞和靜電損壞。
  4.IGBT損壞的解決對(duì)策
  ①過電流損壞
  為了避免IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)而損壞,電路設(shè)計(jì)中應(yīng)保證IGBT的最大工作電流應(yīng)不超過IGBT的IDM值,同時(shí)注意可適當(dāng)加大驅(qū)動(dòng)電阻RG的辦法延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間,減小IGBT的di/dt。驅(qū)動(dòng)電壓的大小也會(huì)影響IGBT的擎住效應(yīng),驅(qū)動(dòng)電壓低,承受過電流時(shí)間長(zhǎng),IGBT必須加負(fù)偏壓,IGBT生產(chǎn)廠家一般推薦加-5V左右的反偏電壓。在有負(fù)偏壓情況下,驅(qū)動(dòng)正電壓在10—15V之間,漏極電流可在5~10μs內(nèi)超過額定電流的4~10倍,所以驅(qū)動(dòng)IGBT必須設(shè)計(jì)負(fù)偏壓。由于UPS負(fù)載沖擊特性各不相同,且供電的設(shè)備可能發(fā)生電源故障短路,所以在UPS設(shè)計(jì)中采取限流措施進(jìn)行IGBT的電流限制也是必須的,可考慮采用IGBT廠家提供的驅(qū)動(dòng)厚膜電路。如FUJI公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它們對(duì)IGBT的集電極電壓進(jìn)行檢測(cè),如果IGBT發(fā)生過電流,內(nèi)部電路進(jìn)行關(guān)閉驅(qū)動(dòng)。這種辦法有時(shí)還是不能保護(hù)IGBT,根據(jù)IR公司的資料,IR公司推薦的短路保護(hù)方法是:首先檢測(cè)通態(tài)壓降Vce,如果Vce超過設(shè)定值,保護(hù)電路馬上將驅(qū)動(dòng)電壓降為8V,于是IGBT由飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)入放大區(qū),通態(tài)電阻增大,短路電路減削,經(jīng)過4us連續(xù)檢測(cè)通態(tài)壓降Vce,如果正常,將驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)正常,如果未恢復(fù),將驅(qū)動(dòng)關(guān)閉,使集電極電流減為零,這樣實(shí)現(xiàn)短路電流軟關(guān)斷,可以避免快速關(guān)斷造成的過大di/dt損壞IGBT,另外根據(jù)最新三菱公司IGBT資料,三菱推出的F系列IGBT的均內(nèi)含過流限流電路(RTCcircuit),如圖6,當(dāng)發(fā)生過電流,10us內(nèi)將IGBT的啟動(dòng)電壓減為9V,配合M57160AL驅(qū)動(dòng)厚膜電路可以快速軟關(guān)斷保護(hù)IGBT。
 、谶^電壓損壞
  防止過電壓損壞方法有:優(yōu)化主電路的工藝結(jié)構(gòu),通過縮小大電流回路的路徑來減小線路寄生電感;適當(dāng)增加IGBT驅(qū)動(dòng)電阻Rg使開關(guān)速度減慢(但開關(guān)損耗也增加了);設(shè)計(jì)緩沖電路,對(duì)尖峰電壓進(jìn)行抑制。用于緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管,電容必須是高頻、損耗小,頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路。回饋式又有無源式和有源式兩種,詳細(xì)電路設(shè)計(jì)可參見所選用器件的技術(shù)手冊(cè)。
 、蹣虮酃矊(dǎo)損壞
  在UPS中,逆變橋同臂支路兩個(gè)驅(qū)動(dòng)必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時(shí)間(即共同不導(dǎo)通時(shí)間)。如果發(fā)生共導(dǎo),IGBT會(huì)迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運(yùn)行狀況下的驅(qū)動(dòng)問題控制時(shí)序問題。
  ④過熱損壞
  可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞的問題。此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。
  5.結(jié)論
 、買GBT兼具有功率MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn),是UPS中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。
  ②只有合理運(yùn)用IGBT,并采取有效的保護(hù)方案,才可能提高IGBT在UPS中的可靠性。
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