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來源: IT之家 三星電子上周高調(diào)宣布開發(fā)出 8nm 射頻（RF）芯片制程技術(shù)，希望搶攻 5G 領(lǐng)域晶圓代工訂單。 據(jù)悉，三星開發(fā)了一種獨(dú)特的 8nm 射頻專用架構(gòu)，名為 RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，同時(shí)使用更少的功率。 與 14nm RF 相比，三星的 RFeFET 補(bǔ)充了數(shù)字 PPA 縮放并同時(shí)恢復(fù)了模擬 / RF 縮放，從而實(shí)現(xiàn)了高性能 5G 平臺(tái)。此外，新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且減少 35% 的面積。 據(jù) Newsis 等消息，三星計(jì)劃以 8nm RF 晶圓代工工藝技術(shù)服務(wù)，以此搶攻 5G 領(lǐng)域。 據(jù)介紹，三星這種尖端的代工技術(shù)有望提供“單芯片解決方案”，專門用于支持多通道和多天線芯片設(shè)計(jì)的 5G 通信。三星的 8nm 射頻平臺(tái)擴(kuò)展有望將公司在 5G 半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位從低于 6GHz 擴(kuò)展到毫米波應(yīng)用。 
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