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可實(shí)現(xiàn)高性能和低損耗的突破性技術(shù) 對(duì)于工業(yè)、運(yùn)輸/汽車、醫(yī)療、航空航天、國防和通信市場領(lǐng)域的電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員而言，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)為他們提供了一種創(chuàng)新選擇，有助于提升系統(tǒng)效率、縮小產(chǎn)品尺寸并且適應(yīng)更高的工作溫度。我們的下一代SiC MOSFET和SiC SBD設(shè)計(jì)在額定導(dǎo)通電阻或額定電流下具有較高的重復(fù)性非鉗位感應(yīng)開關(guān)（UIS）能力。我們的SiC MOSFET可保持較高的UIS能力（每平方厘米約10–25焦耳（J/cm2））以及穩(wěn)健的短路保護(hù)性能。Microchip的SiC肖特基勢壘二極管（SBD）設(shè)計(jì)在低反向電流下具有平衡的浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱電容額定值，可實(shí)現(xiàn)較低的開關(guān)損耗。此外，我們的SiC MOSFET和SiC SBD裸片可以在模塊中配合使用。Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品將符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。 資料下載： 
碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品宣傳冊(cè).pdf
(3.81 MB)
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