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MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路會在掉電時自動保護數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。為了簡化容錯設計，MR4A16B包含內(nèi)部單個糾錯碼，每64個數(shù)據(jù)位具有7個ECC奇偶校驗位。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用，MR4A16B是理想的存儲器解決方案。 MR4A16B提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型薄型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR4A16B在很寬的溫度范圍內(nèi)提供了高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70°C）和工業(yè)溫度（-40至+85°C）工作溫度選項。最新的Everspin產(chǎn)品信息及選購，請接洽代理宇芯電子銷售。 MR4A16B 1M x 16 MRAM •+3.3伏電源 •35 ns的快速讀寫周期 •SRAM兼容時序 •無限的讀寫耐久性 •溫度下，數(shù)據(jù)始終保持非易失性超過20年 •符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝 •所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度標準 •一個存儲器取代了系統(tǒng)中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，從而實現(xiàn)了更簡單，更高效的設計 •通過更換電池供電的SRAM來提高可靠性 關于Everspin Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。在包括40nm，28nm以及更高技術節(jié)點在內(nèi)的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。此外，Everspin在亞利桑那州錢德勒擁有并運營一條集成的磁性生產(chǎn)線，Everspin在此生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術節(jié)點的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。 MR4A16B型號表
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