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XM8A51216外擴SRAM

發(fā)布時間:2021-2-23 15:49    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: XM8A51216 , 異步SRAM , 國產(chǎn)SRAM
XRAM是一種新的存儲器體系結(jié)構(gòu),旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu),顯著提高了存儲器密度,性能并簡化了用戶界面。

XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K(512*16,即1M字節(jié))容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該國產(chǎn)SRAM芯片具有如下幾個特點:

⚫高速。具有最高訪問速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL電平兼容。
⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。
⚫三態(tài)輸出。
⚫字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。

XM8A51216功能框圖


圖中A0~18為地址線,總共19根地址線(即2^19=512K,1K=1024);DQ0~15為數(shù)據(jù)線,總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號,低電平有效;OEn是輸出使能信號,低電平有效;WEn是寫使能信號,低電平有效;BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號;



XM8A51216原理圖


XM8A51216在功能上等效于異步SRAM,是一種高性能8Mbit CMOS存儲器,組織為512K字乘16位和1024K字乘8位,支持異步SRAM存儲器接口。代理商英尚微電子支持產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及解決方案。

要寫入設(shè)備,請將芯片使能(CE)和寫使能(WE)輸入設(shè)為低電平。如果字節(jié)低使能(BLE)為低,則來自I/O引腳(DQ0至DQ7)的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳(A0至A18)上指定的位置。如果字節(jié)高使能(BHE)為低電平,則來自I/O引腳(DQ8至DQ15)的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳(A0至A18)上指定的位置。要從器件讀取,請將芯片使能(CE)和輸出使能(OE)設(shè)為低電平,同時將寫入使能(WE)設(shè)為高電平。如果字節(jié)低使能(BLE)為低,則地址引腳指定的存儲器位置中的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ0至DQ7上。如果字節(jié)高使能(BHE)為低,則來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ8到DQ15上。

取消選擇器件(CE),禁用輸出(OEHIGH),禁用BHE和BLE(BHE,BLEHIGH)或以下操作時,輸入或輸出引腳(DQ0至DQ15)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)寫操作(CE和WELOW)。突發(fā)模式引腳(MODE)定義突發(fā)序列的順序。當(dāng)置為高電平時,選擇交錯的突發(fā)序列。當(dāng)拉低時,選擇線性突發(fā)序列。


XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB)
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