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業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK SO-8L封裝器件，導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ Vishay 推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的100 V p溝道TrenchFET MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK SO-8L封裝器件，而且10 V條件下其導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ，達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。 
日前發(fā)布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗，從而節(jié)省能源，10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅(qū)動損耗。 這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作，滿足反向極性保護(hù)、電池管理、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學(xué)檢測（AOI）功能，消除機(jī)械應(yīng)力，提高板級可靠性。 器件100 V額定值滿足12 V、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外，作為p溝道MOSFET，SQJ211ELP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計，無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。 SQJ211ELP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。 |
