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FRAM作為代碼存儲器應用中的單芯片解決方案

發(fā)布時間:2020-12-23 15:57    發(fā)布者:宇芯電子
通常將采用存儲器技術的應用分為可執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)任務。可執(zhí)行代碼要求使用非易失性存儲器,并在所有條件下都能夠保留存儲器中的代碼。數(shù)據(jù)任務則要求能夠?qū)Υ鎯ζ鬟M行快速、簡易且無限次數(shù)的讀/寫訪問。會根據(jù)應用程序來決定執(zhí)行數(shù)據(jù)任務的存儲器是易失性的還是非易失性的。通?蓤(zhí)行代碼的存儲器采用基于ROM的技術,而數(shù)據(jù)任務的存儲器則采用基于RAM的技術。作為賽普拉斯中的一款非易失性RAM產(chǎn)品,FRAM提供了獨特的優(yōu)點—它能夠?qū)⒖蓤?zhí)行代碼和數(shù)據(jù)組合在一個單存儲器中。本篇文章介紹的是代碼存儲對存儲器的要求.

代碼存儲對存儲器的要求
◆非易失性
◆相應的容量
◆讀取訪問時間
◆防止意外寫入的能力
◆在某部分或某段代碼中的現(xiàn)場可編程能力
◆編程的同時執(zhí)行讀訪問的能力

代碼存儲的基本要求是:應該是非易失性存儲器,并在所有條件下都能夠保持它的狀態(tài)。代碼存儲器是只讀的,并且在運行過程中不會更新存儲在該存儲器中的內(nèi)容。保持代碼所需的存儲器空間由應用程序設置。通常額外存儲器空間中的20%-30%提供給將來系統(tǒng)修改使用。代碼執(zhí)行時間是由存儲器的讀訪問時間決定的;訪問時間越短,對控制器開銷的影響越小。

代碼存儲器是只讀的。應防止發(fā)生任何意外的寫入操作,因為該操作會引起應用故障。不過在幾種情況下,代碼存儲器將被覆蓋。周期性更新設計以增加新特性或糾正硬件錯誤便是一種情況,F(xiàn)場重新編程代碼存儲器能力是一項主要的優(yōu)勢和功能。通常,重新編程只會影響某部分或某段代碼,并不能影響整個代碼。執(zhí)行重新編程期間,寫訪問時間是決定重新編程器件所需時間的一個因素。

代碼存儲器包含實現(xiàn)擦除/編程功能的代碼,該代碼負責實現(xiàn)預先計劃的現(xiàn)場可編程能力。在現(xiàn)場編程過程中,要確保能夠?qū)Υ鎯ζ鞯淖止?jié)或寄存器的某些部分同時執(zhí)行讀/寫訪問,以避免將擦除/編程代碼復制到其他存儲器(RAM)內(nèi)并從這些存儲空間執(zhí)行代碼所引起的不必要麻煩。

Nand Flash是代碼存儲器的常用解決方案,但在某些應用程序(它的代碼規(guī)模比較小,并且應用程序需要讀/寫訪問時間(數(shù)據(jù)記錄、能量采集或使用壽命長的電池等操作)對稱)中,更應該選擇FRAM。


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宇芯電子 發(fā)表于 2020-12-23 15:57:59
Nand Flash是代碼存儲器的常用解決方案,但在某些應用程序(它的代碼規(guī)模比較小,并且應用程序需要讀/寫訪問時間(數(shù)據(jù)記錄、能量采集或使用壽命長的電池等操作)對稱)中,更應該選擇FRAM。
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