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非易失性NV-SRAM的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2020-10-26 15:58    發(fā)布者:宇芯電子
關(guān)鍵詞: 非易失NV-SRAM , NV-SRAM , SRAM
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。

因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)。最后必須知道制造商提到功耗時(shí)并不是使用一致的標(biāo)準(zhǔn)。某些設(shè)備可能指定在Vcc=1.8V下工作,但其資料表提供的卻是Vcc=2.5V。此處所用的數(shù)值是資料表中規(guī)定的最差情況數(shù)值。

串行數(shù)據(jù)閃存擦除頁/扇區(qū)時(shí),需要耗用大量的能量,因?yàn)檫@些操作耗時(shí)較長(zhǎng)。EEPROM與閃存使用輪詢(polling)技術(shù)而不是等待一段最差情況所需的時(shí)間來完成操作,從而減少了兩者的能量要求。資料表沒有清楚顯示當(dāng)寫入/擦除完成時(shí),寫入/擦除周期中消耗的電流是否自動(dòng)逐步減少或是否繼續(xù)。

非易失NV-SRAM通常用于要求維護(hù)次數(shù)盡可能少,頻繁進(jìn)行讀/寫操作,并且數(shù)據(jù)保存速度是至關(guān)重要的系統(tǒng)中。數(shù)控銑床就是一個(gè)例子。假設(shè)機(jī)器正在進(jìn)行銑操作的時(shí)候突然斷電。出于安全考慮,需要撤出鉆頭并將其停放在一個(gè)安全位置。一旦上電,機(jī)器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV-SRAM模塊,這一任務(wù)是很容易實(shí)現(xiàn)的。選擇的保持時(shí)間應(yīng)等于或大于向EEPROM中存儲(chǔ)程序信息所需的時(shí)間。在數(shù)據(jù)寫入EEPROM之前,仍然需要SRAM充當(dāng)數(shù)據(jù)緩存。采用這一方案,附加元件的費(fèi)用通常要超出NV-SRAM模塊的成本,并且可靠性較低。

在防篡改應(yīng)用,特別是在PoS終端中,數(shù)據(jù)記錄非常重要。如今的智能終端無須經(jīng)過耗時(shí)的遠(yuǎn)程服務(wù)器的驗(yàn)證就能確認(rèn)付款交易。由于安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于終端內(nèi)部,因此這里完全依靠單片BGA模塊。安全微控制器可以將密鑰存放在lC內(nèi)部的“安全區(qū)”內(nèi)。然而,仍然需要采取一些額外措施,以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密數(shù)據(jù)被讀取和解碼。目前所能提供的保護(hù)措施尚不足以對(duì)付那些狡猾的黑客。針對(duì)這一問題,也有一些解決方案,例如NaxiDallasSermconductor推出了定制的BA模塊,包含安全微控制器、SRAM篡改檢測(cè)電路,以及定時(shí)和控制功能。
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宇芯電子 發(fā)表于 2020-10-26 15:58:39
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。
宇芯電子 發(fā)表于 2020-10-26 16:07:38
非易失NV-SRAM通常用于要求維護(hù)次數(shù)盡可能少,頻繁進(jìn)行讀/寫操作,并且數(shù)據(jù)保存速度是至關(guān)重要的系統(tǒng)中。數(shù)控銑床就是一個(gè)例子。假設(shè)機(jī)器正在進(jìn)行銑操作的時(shí)候突然斷電。出于安全考慮,需要撤出鉆頭并將其停放在一個(gè)安全位置。一旦上電,機(jī)器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV-SRAM模塊,這一任務(wù)是很容易實(shí)現(xiàn)的。
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