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正確的同步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的選擇對于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲器。 決定正確的同步SRAM選擇的一些關(guān)鍵因素是密度，等待時間，速度，讀/寫比和功率。通過了解這些因素如何影響性能，可靠性和成本，設(shè)計人員可以為其應(yīng)用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專注代理銷售SRAM，異步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存儲芯片，提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優(yōu)勢。標(biāo)準(zhǔn)同步SRAM通常用于工業(yè)電子，儀器儀表和軍事應(yīng)用。這些設(shè)備通常用作數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（臨時存儲），并且可以通過它們的高速，單數(shù)據(jù)速率（SDR）接口隨機訪問。標(biāo)準(zhǔn)同步突發(fā)SRAM非常適合占主導(dǎo)地位的讀取或?qū)懭氩僮鳌？蛻艨梢栽诰哂杏脩艨蛇x的線性和交錯突發(fā)模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線（PL）體系結(jié)構(gòu)之間進行選擇。 存儲器選擇：關(guān)鍵因素 選擇同步高速SRAM存儲器的主要考慮因素之一是數(shù)據(jù)帶寬，數(shù)據(jù)帶寬隨同步SRAM的不同類型而變化。為了進行計算，已考慮了最大時鐘頻率和x36的總線寬度。 同步SRAM存儲器選擇的另一個因素是功率效率。由于電源電壓較低，與標(biāo)準(zhǔn)同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了決定內(nèi)存選擇的其他因素： 表1：存儲器選擇概述（注意：QDRII +和DDRII +選項隨ODT和不隨ODT一起提供。） 提供了各種各樣的同步高速SRAM。通過了解可用的不同類型的內(nèi)存，系統(tǒng)設(shè)計人員可以為其應(yīng)用選擇正確的同步內(nèi)存選項。 VTI 同步SRAM
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| 同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優(yōu)勢。標(biāo)準(zhǔn)同步SRAM通常用于工業(yè)電子，儀器儀表和軍事應(yīng)用。這些設(shè)備通常用作數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（臨時存儲），并且可以通過它們的高速，單數(shù)據(jù)速率（SDR）接口隨機訪問。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)同步突發(fā)SRAM非常適合占主導(dǎo)地位的讀取或?qū)懭氩僮鳌？蛻艨梢栽诰哂杏脩艨蛇x的線性和交錯突發(fā)模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線（PL）體系結(jié)構(gòu)之間進行選擇。 |
