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在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1.非易失性存儲器芯片，比傳統(tǒng)的SRAM或者DRAM在數(shù)據(jù)保持方面更強(qiáng)； 2.芯片容量較大，單顆芯片容量高達(dá)1Gb； 3.采用DDR4接口，帶寬可以到2.7GB/s，超強(qiáng)性能； 4.擦寫次數(shù)幾十億次！生命周期； 5.超低延遲； 6.數(shù)據(jù)保存期很久：85度高溫下數(shù)據(jù)可以保存10年以上； 7.數(shù)據(jù)錯誤率低； 8.可靠性強(qiáng)。 MRAM可應(yīng)用在NVMe SSD的下列場景，PCIe SSD、NVMe-oF、全閃存陣列： NVMe SSD場景 MRAM為NVMe SSD，尤其是QLC做緩存有以下優(yōu)勢： 采用MRAM之后，NVMe SSD內(nèi)部的架構(gòu)發(fā)生了以下圖片的變化，將MRAM作為數(shù)據(jù)緩存使用，而FTL映射表存儲依然是DRAM： NVMe-oF場景 數(shù)據(jù)中心采用NVMe-oF有以下四大優(yōu)勢： 1. 實現(xiàn)低于1微秒的數(shù)據(jù)傳輸，跳過內(nèi)核、跳過主機(jī)CPU和內(nèi)存、可以P2P傳輸； 2. 把CPU計算任務(wù)分?jǐn)偟綄Ｓ糜嬎阈酒蛘叽鎯刂破鳎?/font> 3. 讀寫帶寬更高； 4. 服務(wù)器可以更簡單、省電，不用昂貴的X86 CPU，用ARM CPU就夠了。 以下圖片是傳統(tǒng)的NVMe-oF的數(shù)據(jù)流，要通過系統(tǒng)內(nèi)存和CPU再進(jìn)入NVMe SSD，這樣會導(dǎo)致讀寫延遲比較長。 如果采用了MRAM作為智能網(wǎng)卡上的緩存，數(shù)據(jù)就直接通過P2P傳輸給NVMe SSD，并跳過了系統(tǒng)內(nèi)存和CPU，大大縮短讀寫延遲，也大幅提升性能。 MRAM用在全閃存陣列 在全閃存陣列的存儲控制器中，MRAM可以作為緩存加速，并提升產(chǎn)品性能及可靠性，同時可以不需要額外的電池或者電容。 未來的數(shù)據(jù)中心存儲長這樣？ 未來以NVMe SSD和NVMe-oF為基礎(chǔ)的云存儲硬件架構(gòu)如下圖，其中MRAM可以用在網(wǎng)卡緩存、NVDIMM、全閃存陣列加速和NVMe SSD內(nèi)部。 Everspin公司專業(yè)設(shè)計制造嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩STT-MRAM的領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中提供了超過1.2億個MRAM和STT-RAM產(chǎn)品，為MRAM用戶奠定了強(qiáng)大，增長快的基礎(chǔ)。Everspin MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用。Everspin代理英尚微電子提供完善的產(chǎn)品解決方案及技術(shù)方面支持和指導(dǎo). 
Everspin MRAM產(chǎn)品介紹.pdf
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首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1.非易失性存儲器芯片，比傳統(tǒng)的SRAM或者DRAM在數(shù)據(jù)保持方面更強(qiáng)； 2.芯片容量較大，單顆芯片容量高達(dá)1Gb； 3.采用DDR4接口，帶寬可以到2.7GB/s，超強(qiáng)性能； 4.擦寫次數(shù)幾十億次！生命周期； 5.超低延遲； 6.數(shù)據(jù)保存期很久：85度高溫下數(shù)據(jù)可以保存10年以上； 7.數(shù)據(jù)錯誤率低； 8.可靠性強(qiáng)。 |
| 如果采用了MRAM作為智能網(wǎng)卡上的緩存，數(shù)據(jù)就直接通過P2P傳輸給NVMe SSD，并跳過了系統(tǒng)內(nèi)存和CPU，大大縮短讀寫延遲，也大幅提升性能 |
