熱門關(guān)鍵詞：Cortex-M0 ARM 無線充電步進(jìn)電機(jī) 意法半導(dǎo)體

國產(chǎn)SRAM芯片XM8A51216隨機(jī)X型存儲器

發(fā)布時間：2020-4-30 15:48 發(fā)布者：英尚微電子

關(guān)鍵詞：國產(chǎn)SRAM芯片 , XM8A51216 , 隨機(jī)X型存儲器 , 國產(chǎn)SRAM

XM8A51216采用異步SRAM接口并結(jié)合獨(dú)有的XRAM免刷新專利技術(shù)，在大容量、高性能和高可靠及品質(zhì)方面完全可以匹敵同類SRAM，具有較低功耗和低成本優(yōu)勢，可以與市面上同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容，并且滿足各種應(yīng)用系統(tǒng)對高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以當(dāng)做異步SRAM使用，稱為新型國產(chǎn)SRAM芯片也不為過,

XM8A51216是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）專利技術(shù)而成的新型存儲器。與傳統(tǒng)的DRAM和SRAM不同,

XM8A51216具有以下幾個技術(shù)特點(diǎn)：
1、數(shù)據(jù)讀取速率快于DRAM產(chǎn)品10倍，延時10ns左右；
2、容量覆蓋Megabit到Gigabit；
3、可以節(jié)省40%左右的存儲陣列功耗；
4、從用戶端不需要考慮刷新機(jī)制，可以隨時訪問。

規(guī)格書下載

XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB)

XM8A51216封裝圖

型號表：

Density	PartNumber	BW bit	Vdd	Speed	Package
64Mb	XM8A04M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb	XM8A08M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb	XM8A02M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb	XM8A04M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A01M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A02M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb	XM8A51216V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb	XM8A01M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb	XM8A25616V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb	XM8A51208V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)

本文地址：http://m.54549.cn/thread-587316-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實性負(fù)責(zé)；文章版權(quán)歸原作者及原出處所有，如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求，第一時間更正或刪除。