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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK® SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實(shí)現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。 如果手持設(shè)備需要比標(biāo)準(zhǔn)0.8mm更薄的N溝道MOSFET，高度為0.6mm的SiA444DJT可以滿足要求，其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%，比標(biāo)準(zhǔn)的0.8mm高度小19%。此外，該MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低導(dǎo)通電阻，最大導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是衡量MOSFET在DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，該器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的業(yè)內(nèi)最低FOM。 SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻，足以勝任應(yīng)用對(duì)更薄P溝道器件的要求。該器件在1.8V下的導(dǎo)通電阻比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件小12%，包括標(biāo)準(zhǔn)0.8mm外形的MOSFET和所有2mm x 2mm的P溝道MOSFET。對(duì)于手持式電子設(shè)備，SiA429DJT和SiA444DJT更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而延長(zhǎng)在充電周期之間的電池壽命。 SiA444DJT和SiA429DJT所采用的超薄Thin PowerPAK SC-70封裝針對(duì)手機(jī)、智能手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書(shū)和平板電腦等小型手持式電子設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。在這些設(shè)備中，SiA444DJT可用于高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器，而SiA429DJT是負(fù)載開(kāi)關(guān)或充電開(kāi)關(guān)的理想之選，還可以在DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中用作高邊開(kāi)關(guān)。 這些MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定及RoHS指令2002/95/EC。 新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 
VISHAY簡(jiǎn)介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。 |
