模擬/混合信號代工廠商X-FAB Silicon Foundries今天宣布推出針對不斷增長的48V汽車電源系統(tǒng)（48V board net）和電池管理系統(tǒng)芯片市場的新型高壓器件。
這些新的互補NMOS/PMOS器件基于X-FAB的XT018 BCD-on-SOI 平臺，涵蓋的電壓范圍為70V至125V，具有深溝槽隔離（DTI) 并滿足汽車AEC-Q100 0級標(biāo)準(zhǔn)。這些器件提供具有競爭力的導(dǎo)通電阻（Rdson），同時仍為Rdson、Idsat和Vth提供可靠的安全工作區(qū)域。同時采用了高效的ESD保護(hù)機制，以確保長期運行可靠性。此外，還提供基于新高電壓等級的N-channel耗盡型晶體管。這些將能實現(xiàn)簡單，節(jié)約芯片面積的啟動電路和穩(wěn)壓器。 世界領(lǐng)先的汽車制造商越來越多采用48V子系統(tǒng)以提高燃油效率和減少二氧化碳排放。輕度混合動力汽車率先采用48V額定電壓組件，最初主要集中在許多核心部件，如啟動器/發(fā)電機、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理子系統(tǒng)，以及水泵和冷卻風(fēng)扇等高電流功能。 與此同時，快速增長的電動汽車和儲能用鋰離子電池市場正轉(zhuǎn)向更高電壓的電池組。 XT018 BCD-on-SOI平臺現(xiàn)在可提供高達(dá)200V的更為靈活度電壓，以支持使用單個BMS 芯片監(jiān)控的越來越多的電池單元。 與傳統(tǒng)的BCD技術(shù)相比，SOI上的BCD在許多方面都具有優(yōu)越性，使其對設(shè)計師具有吸引力。這些重要優(yōu)勢包括防閂鎖電路 (latch-up free circuits）、高EMC性能（由于采用埋氧化物/DTI完全隔離）和能夠簡單的處理負(fù)電壓瞬變（below ground transients）。此外，大幅度減小芯片尺寸，提高一次流片率(first-time-right)，可以加快開發(fā)周期, 并降低每個芯片的成本。 X-FAB首席執(zhí)行官Rudi De Winter表示：“作為首屈一指的高壓SOI代工廠，X-FAB現(xiàn)在比以往更有能力支持汽車的電動化趨勢。在廣受歡迎的XT018平臺的擴(kuò)展進(jìn)一步加強了我們客戶在混合動力/電動汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品能力。通過這種擴(kuò)展，再加上我們的碳化硅(SiC)和高壓電隔離工藝(Galvanic Isolator)，X-FAB將能夠為客戶提供一系列重要的構(gòu)建模塊，有助于加速社會加速走向更環(huán)保的交通運輸方式�！� |
