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來源：觀察者網(wǎng) 前不久，中芯國際發(fā)布了2018年第四季度及全年財報，總的來說情況良好，特別是梁孟松博士關(guān)于中芯國際即將量產(chǎn)14nm FinFET工藝的消息非常振奮人心。不過，由于臺積電、聯(lián)電、格羅方德等大廠都已經(jīng)在中國大陸設(shè)廠，中芯國際要想崛起，還有一段路要走。 2018年營收33.6億美元 與臺積電差距明顯 財報顯示，2018年全年，中芯國際收入33.6億美元，年增8.3％，其中中國區(qū)占比達到歷史新高59.1％，比上年增長11.8個百分點；毛利率22.2％，下滑1.7個百分點，凈利潤1.34億美元，減少25.6％。 根據(jù)財報，中芯國際2018年第四季度業(yè)績下滑，主要是受行業(yè)大環(huán)境和客戶公司的訂單變化的影響，導(dǎo)致產(chǎn)能利用率下滑，進而引發(fā)業(yè)績下降。 就這個成績來說，中芯國際2018年的營收已經(jīng)是創(chuàng)歷史新高了。但和臺積電相比差距還是非常明顯的——臺積電僅2018年四季度的營收，就高達94.2億美元，是中芯國際全年營收的3倍左右。 不同工藝的收入占比顯示了一家晶圓廠的技術(shù)水平，而中芯國際在這方面的比例為： 28nm 5.4％、40/45nm 20.3％、55/65nm 23.0％、90nm 1.7％、110/130nm 7.3％、150/180nm 38.7％、250/350nm 3.6％。 很明顯，中芯國際還是以40/45nm、55/65nm、150/180nm 的芯片為主，而28nm的芯片收入占比僅為5.4%。 相比之下，臺積電的不同工藝收入的占比為： 65nm及65nm以上 23%、40/45nm 10%、28nm 17%、16/20nm 21%、10nm 6%、7nm 23%。 可以說，臺積電在這項數(shù)據(jù)上相對于中芯國際具有壓倒性優(yōu)勢。中芯國際要在技術(shù)和商業(yè)上追趕臺積電，還有很長的路要走。 外商在華開設(shè)工廠來勢洶洶 臺積電在2015年就宣布將在南京設(shè)立代工廠。據(jù)公開資料，整個項目投資大約為30億美元，不過，這個30億美元中很大部分是來自臺灣現(xiàn)有晶圓廠的機臺設(shè)備的價值、以及內(nèi)地政府在集成電路產(chǎn)業(yè)上的政策優(yōu)惠，因而并非臺積電到大陸砸30億。南京工廠于2018年11月量產(chǎn)，已經(jīng)導(dǎo)入了16nm FinFET工藝，月產(chǎn)能約為10000至15000片，預(yù)計到2020年，月產(chǎn)能有望達到2萬片。 聯(lián)電來得比臺積電更早。聯(lián)電在廈門的晶圓廠于2014年開設(shè)籌建，2016年第4季起進入量產(chǎn)，已可提供 40nm及28nm 的晶圓專工服務(wù)，月產(chǎn)能為20000片。雖然有一些媒體報道聯(lián)電將會導(dǎo)入14nm工藝，但根據(jù)現(xiàn)在的情況看，由于臺灣當(dāng)局“N-1”代技術(shù)代差的限制，聯(lián)電恐怕不會導(dǎo)入14nm工藝，根據(jù)目前的消息來看，聯(lián)電此后會導(dǎo)入一些28nm以上的特色工藝。 格羅方德在2017年于成都設(shè)立子公司格芯半導(dǎo)體，GF出設(shè)備，占據(jù)51%的股份，地方政府出土地和廠房，占49%的股份。GF計劃投資90億美元建設(shè)一條12寸晶圓代工線，F(xiàn)DSOI終于落戶中國。根據(jù)格羅方德的PPT，格芯12寸晶圓代工廠分兩期建設(shè)： 第一期0.18um和0.13um，技術(shù)轉(zhuǎn)移來自GF新加坡，2018底預(yù)計產(chǎn)能約2萬每月； 第二期為重頭戲22nm SOI工藝，2018年開始從德國FAB轉(zhuǎn)移，計劃2019年投產(chǎn)，預(yù)計2019年下半年產(chǎn)能達到約6.5萬每月。 不過，計劃趕不上變化，基于市場條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，GF取消對成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。 然而，項目到底推進的怎么樣，就只有天知道了，有消息聲稱成都工廠情況不妙。就GF這個項目來說，最大的意義在于導(dǎo)入了FD SOI工藝，這樣可以對沖FinFET工藝研發(fā)的風(fēng)險。在制造工藝越來越接近物理極限的時候，還能用FinFET+SOI的方式來續(xù)命。 由于境外大廠紛紛來中國大陸布局，即便中芯國際在12/14nm工藝上取得突破，也可能會遭遇臺積電、聯(lián)電、GF在中國大陸工廠的狙擊和競爭。 14nm FinFET工藝即將量產(chǎn) 根據(jù)中芯國際方面公布的消息，在2019年第二季度或第三季度，14nm FinFET工藝將開始生產(chǎn)，而且不是試生產(chǎn)，是直接量產(chǎn)。之后，中芯國際會著手研發(fā)22nm工藝和12nm工藝。22nm工藝可以靠現(xiàn)有的設(shè)備和技術(shù)搞定，之所以做22nm工藝，主要是因為客戶要求，畢竟在28nm工藝之后，使用越先進的工藝成本就越高，因而一些客戶為了性價比，主動選擇22nm工藝。 中芯國際的12nm工藝也是進展喜人，根據(jù)官方的消息：“12nm的pdk已經(jīng)ready，IP研發(fā)已經(jīng)進行。性能方面功耗降低20%， 性能提高10%，面積減少20%。我們的12nm有競爭優(yōu)勢”。 誠然，由于臺積電量產(chǎn)16nm和12nm工藝芯片的時間更早——16nm工藝于2015年導(dǎo)入，因而臺積電會在各方面具有一定優(yōu)勢。不過，由于光刻機等半導(dǎo)體設(shè)備的成本實在是太貴了，整個設(shè)備折舊周期還沒有結(jié)束，因而臺積電在成本上的優(yōu)勢并不會太大。目前14nm一片wafer價格約6000美金左右，雖然在中芯國際實現(xiàn)技術(shù)突破之后，臺積電肯定會降價，但不至于降價降得太多，讓中芯國際無法承受。 因此，即便比臺積電晚4年量產(chǎn)14/16nm芯片，但也不至于前途徹底被堵死。何況，此前在研發(fā)14nm工藝時，國家牽頭華為和高通也投資參與，就是為了拉住華為和高通兩個大客戶，相信在中芯國際14nm工藝量產(chǎn)之后，華為和高通也會把一部分芯片訂單交給中芯國際。 另外，還有很多客戶會選擇相對老舊的工藝，還是因為之前提到的成本問題，即便臺積電5nm開始量產(chǎn)，很多企業(yè)也會停留在7nm、14nm這些成熟的工藝上。 對于中芯國際2019年的情況，中芯國際自己的預(yù)期是： 總體來看代工行業(yè)今年不會大幅下滑，盡管當(dāng)下市場和客戶對景氣度都有擔(dān)心，部分客戶由于自身庫存較高不愿意取走wafer，但是我們看到庫存體量將出現(xiàn)下滑，二季度訂單加強。雖然手機等市場下滑，但是如BCD，CIS，24nm NAND，高壓驅(qū)動等新平臺，尤其是擴展的28nm平臺（low power，RF， higk-K+）預(yù)計將在2018年較快成長。因此2019年應(yīng)該較2018年持平。 期待中芯國際能夠穩(wěn)步前行。 |
