貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Infineon Technologies的CoolGaN 氮化鎵 (GaN) HEMT。CoolGaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度，幫助實現(xiàn)半導體電源的快速開關。CoolGan HEMT同時適合硬開關和軟開關拓撲，是無線充電、開關模式電源 (SMPS)、電信、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和服務器等應用的理想選擇。
與硅開關器件相比，貿澤電子供應的Infineon CoolGaN HEMT品質更為出眾。相較于硅晶體管，CoolGaN HEMT的輸出電容與柵極電荷只是其十分之一，但擊穿場強卻是其十倍，移動性能是其兩倍。CoolGaN HEMT經專門優(yōu)化，可實現(xiàn)快速開通和關斷，采用新拓撲和電流調制技術打造出了創(chuàng)新型開關解決方案。HEMT的表面貼裝封裝可保證開關功能完全可用，而其緊湊型設計使其適合各種空間受限的應用。 Infineon CoolGaN氮化鎵HEMT受EVAL_1EDF_G1_HB_GAN和EVAL_2500W_PFC_G評估平臺的支持。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN電路板配備CoolGaN 600 V HEMT和Infineon GaN EiceDRIVER 柵極驅動IC，可幫助工程師評估轉換器和逆變器應用的通用半橋拓撲的高頻GaN功能。EVAL_2500W_PFC_G電路板內含CoolGaN 600V e-mode HEMT、CoolMOS C7 Gold超結MOSFET和EiceDRIVER柵極驅動IC，提供2.5 kW全橋功率因數(shù)校正 (PFC) 評估工具，對于SMPS和通信整流器之類對能耗比較看重的應用，可將其系統(tǒng)效率提升到99%以上。 更多詳情，敬請訪問www.mouser.com/infineon-coolgan-hemts。 |
