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UJ3C1200系列是一種直接更換的解決方案，無(wú)需改變柵極驅(qū)動(dòng)電壓 功率因數(shù)校正（PFC）、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過(guò)使用來(lái)自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）共源共柵（cascodes）來(lái)升級(jí)現(xiàn)有系統(tǒng)的性能。這些器件的電壓額定值為1200 V，導(dǎo)通電阻為80和40mΩ，能夠?yàn)樵S多現(xiàn)有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更換”替代解決方案，而無(wú)需改變柵極驅(qū)動(dòng)電路。這簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)升級(jí)，并為現(xiàn)有零部件提供了可替代采購(gòu)來(lái)源。 對(duì)于功率因數(shù)校正、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的終端應(yīng)用包括車載電動(dòng)汽車（EV）充電器、叉車電池充電、光伏逆變器以及焊接等。 UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)，將一個(gè)碳化硅 JFET與定制設(shè)計(jì)的硅MOSFET集成在一起，憑借SiC JFET的速度、效率和高溫額定值，實(shí)現(xiàn)通常關(guān)運(yùn)行、高性能體二極管和MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的完美組合。因此，現(xiàn)有系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)性能提升，降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，提高熱性能，并集成有柵極ESD保護(hù)。在新設(shè)計(jì)中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供實(shí)質(zhì)性的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，能夠提高開(kāi)關(guān)頻率和效率，并可減小磁性元件和電容器等被動(dòng)元件的尺寸和成本。 UnitedSiC將在PCIM 2018 ECOMAL歐洲展臺(tái)7-406上展示1200V FET系列產(chǎn)品。 UnitedSiC還將參加兩個(gè)小組討論： “未來(lái)5年電源制造商面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇”-- 2018年6月5日（星期二）12：00 - 13：00，6展廳155號(hào)展位。 “碳化硅 – 面向未來(lái)設(shè)計(jì)的器件” --- 2018年6月6日（星期三），13:30 – 14:30, 6展廳155號(hào)展位。 有關(guān)UnitedSiC的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.unitedsic.com。 價(jià)格和供貨 UJ3C1200系列碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管現(xiàn)已經(jīng)在授權(quán)分銷商處銷售，發(fā)貨數(shù)量最低為500件，起價(jià)為10.39美元。 主要優(yōu)勢(shì) • 低Rdson：降低傳導(dǎo)損耗 • 靈活的柵極驅(qū)動(dòng)：易于直接更換IGBT、硅或其他碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)，或使用0V至12V簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)，節(jié)省BOM成本 • 低熱阻：允許更高的RMS電流，提供更多的輸出功率 • ESD保護(hù)：HBM Class 2級(jí)別保護(hù)，確保柵極上的過(guò)壓尖峰被鉗位 評(píng)論 UnitedSiC副總裁Anup Bhalla在談及新型SiC晶體管系列的優(yōu)勢(shì)時(shí)表示：“這些令人興奮的新器件能夠使設(shè)計(jì)人員采用SiC技術(shù)，而無(wú)需擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的復(fù)雜性。高性能體二極管和集成式柵極ESD保護(hù)為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)更多附加值，同時(shí)幫助用戶獲得許多獨(dú)家供應(yīng)商部件的第二來(lái)源�！� 技術(shù)資料 |
