西部數(shù)據(jù)公司今天宣布，該公司已成功開發(fā)用于64層3D NAND (BiCS3)的X4閃存。在西部數(shù)據(jù)過去成功開發(fā)創(chuàng)新和商品化X4 2D NAND技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運(yùn)用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程(在每個存儲節(jié)點(diǎn)上提供16個不同的資料等級)、和系統(tǒng)專門技術(shù)(用于整體閃存管理)。BiCS3 X4技術(shù)可在單晶片上提供領(lǐng)先業(yè)界的768 GB存儲能力，與采用X3技術(shù)的512 GB晶片數(shù)量相比其晶片數(shù)量增加近50%。西部數(shù)據(jù)將于8月間在加州圣塔克拉拉舉行的閃存高峰會上，展出具有BiCS3 X4和系統(tǒng)能力的移動式產(chǎn)品和固態(tài)硬盤(SSDs)。
西部數(shù)據(jù)存儲技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“BiCS3 X4架構(gòu)的建立是西部數(shù)據(jù)的一項重大創(chuàng)舉，因?yàn)樗C明了我們在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，也使得我們能夠?yàn)轭櫩吞峁└嗟拇鎯鉀Q方案的選擇。” “今天的宣布中，最引人注目的是我們在X4架構(gòu)上采用的創(chuàng)新技術(shù)。因此，我們的BiCS3 X4可提供相當(dāng)于BiCS3 X3的性能特性�？s小X4與X3架構(gòu)之間的性能差距，是我們的一項重要差異化能力。此一能力應(yīng)有助于在未來數(shù)年內(nèi)帶動X4技術(shù)更廣泛的市場接受度�！� 這項全新成就是源于西部數(shù)據(jù)在閃存創(chuàng)新方面近30年領(lǐng)先業(yè)界的長期累積，包括X2和X3多級單元閃存技術(shù)。 西部數(shù)據(jù)公司期望在各種多重終端應(yīng)用中，利用X4支援較高容載限點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)，將此技術(shù)商品化。同時，未來的3D NAND技術(shù)(包括96層BiCS4)也將具備X4能力的特色。 |
