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貿(mào)澤電子支持 D3 Semiconductor 向美洲、亞洲和歐洲功率電子市場(chǎng)新推出的世界級(jí) 650 伏超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 產(chǎn)品 D3 Semiconductor宣布貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 現(xiàn)已成為其全球分銷(xiāo)合作伙伴。根據(jù)協(xié)議，貿(mào)澤電子目前儲(chǔ)備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) +FET 產(chǎn)品線，該產(chǎn)品線在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用 (例如在通訊、企業(yè)計(jì)算、不間斷電源 (UPS)和太陽(yáng)能中使用的功率因數(shù)校正 (PFC) 升壓和逆變器) 方面具有同類(lèi)最佳性能。 D3 Semiconductor 通過(guò)改變功率器件的基因奠定了進(jìn)入功率電子行業(yè)的標(biāo)志。其產(chǎn)品開(kāi)發(fā)路線將混合信號(hào)功能與高壓開(kāi)關(guān)器件組合在一起，提供最高產(chǎn)品可靠性以及使解決方案迅速適合各類(lèi)應(yīng)用的能力。除支持美洲和歐洲的電源市場(chǎng)外，D3 Semiconductor 還通過(guò)其附屬公司 D3 Asia 進(jìn)入亞洲市場(chǎng)。 D3 Asia 總裁兼總經(jīng)理 Wally Klass 指出：“我們對(duì)這家聲譽(yù)卓越的世界級(jí)分銷(xiāo)商儲(chǔ)備我們新推出的 +FET MOSFET 產(chǎn)品感到非常高興。貿(mào)澤電子的客戶服務(wù)方法與我們一樣，是以最快速和最靈活的交付方法提供最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品�！� D3 Semiconductor 全球銷(xiāo)售與營(yíng)銷(xiāo)副總裁 Scott Carson 也表示：“貿(mào)澤電子的全球占有率和注重對(duì)設(shè)計(jì)工程工作的支持，與 D3 Semiconductor 的市場(chǎng)進(jìn)入戰(zhàn)略十分吻合。” 貿(mào)澤電子目前提供的 D3 Semiconductor首批 +FET 650 伏超結(jié)功率 MOSFET產(chǎn)品具有最高性能水平和可靠性。D3 Semiconductor 產(chǎn)品組合中的每一個(gè) +FET 超結(jié)功率 MOSFET均以 650 伏節(jié)點(diǎn)為目標(biāo)，有助于改進(jìn)傳統(tǒng)上由絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) (例如逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器) 服務(wù)的應(yīng)用功率密度。 貿(mào)澤電子供應(yīng)商管理與產(chǎn)品副總裁 Kristin Schuetter 指出：“D3 Semiconductor 的 +FET 超結(jié)技術(shù)在融合超級(jí)架構(gòu)功率和效率與混合信號(hào)精度方面具有獨(dú)特性。我們?cè)诟黝?lèi)要求高度可靠性電源市場(chǎng)中的客戶將從 D3 Semiconductor的高性能可擴(kuò)展解決方案中受益。” +FET MOSFET 具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS-ON)，從 32 毫歐到 1000 毫歐不等，可獲得低頻應(yīng)用中的改進(jìn)性能，并幫助器件獲得在短期內(nèi)進(jìn)行選通電極充電快速轉(zhuǎn)換的快速切換能力。該系列中的每一個(gè)器件均在生產(chǎn)過(guò)程中按照本行業(yè)的最高雪崩電流水平接受 100% 雪崩測(cè)試，以確保可為最苛刻的應(yīng)用提供最佳解決方案。此系列器件還符合靜電放電 (ESD) 性能的 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)，且已接受超過(guò) 3,000 小時(shí)的高溫反向偏壓 (HTRB) 測(cè)試。 如需獲得有關(guān) D3 Semiconductor 及其產(chǎn)品的進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站：www.d3semi.com。 |
