意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在外面，以進一步提升散熱效率，這樣設計讓內(nèi)部芯片有更高的額定輸出電流，提高功率密度，讓設計人員能夠研發(fā)更小的電控單元，而無需在功能、性能和可靠性之間做出取舍。 新產(chǎn)品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的最大漏極電流120A，最大導通電阻分別為1.5 mΩ和3.0 mΩ，保證高能效，簡化系統(tǒng)熱管理。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC，器件本身電容很低，有助于在高速開關時提高能效。 這兩款40V MOSFET器件是意法半導體一個新產(chǎn)品家族的首批產(chǎn)品，采用意法半導體的STripFET™ F6技術和槽柵結(jié)構(gòu)，額定電流和電壓范圍寬廣，適用于汽車產(chǎn)品。新MOSFET可以用于極其惡劣的工作環(huán)境，包括最高175°C的發(fā)動機艙。這些產(chǎn)品100%經(jīng)過雪崩額定值測試，其封裝的可潤濕側(cè)翼引線可實現(xiàn)最佳焊接效果，100%支持自動光學檢查。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過AEC-Q101認證，即日上市。此外，該產(chǎn)品家族今年還將推出STripFET F7產(chǎn)品。 如需了解更多產(chǎn)品詳情，請訪問www.st.com/mosfets |
