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英特爾在華發(fā)布采用3D NAND技術(shù)的全新數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤

發(fā)布時間:2017-5-11 11:03    發(fā)布者:eechina
2017年5月10日,英特爾在其大連工廠發(fā)布了兩款全新的采用3D NAND的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤:英特爾固態(tài)盤DC P4500系列及英特爾固態(tài)盤DC P4600系列。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設(shè)計(jì),可應(yīng)用于軟件定義存儲及融合式基礎(chǔ)設(shè)施。英特爾固態(tài)盤DC P4500系列專門針對數(shù)據(jù)讀取進(jìn)行優(yōu)化,能讓數(shù)據(jù)中心從服務(wù)器中獲得更多價值并存儲更多數(shù)據(jù)。而針對混合型工作負(fù)載所設(shè)計(jì)的英特爾固態(tài)盤DC P4600系列則可以加速緩存,并使每臺服務(wù)器可運(yùn)行的工作負(fù)載量實(shí)現(xiàn)提升。同時,作為“非易失性存儲器”制造基地的英特爾大連工廠正在擴(kuò)建,以滿足市場對3D NAND供應(yīng)日益增長的需求,今天發(fā)布的這兩款產(chǎn)品也是英特爾大連工廠升級后出貨的基于3D NAND數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤。

英特爾公司非易失性存儲器解決方案事業(yè)部副總裁兼全球制造總經(jīng)理Keyvan Esfarjani表示:“通過發(fā)布全新數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤DC P4500系列及P4600系列,英特爾將進(jìn)一步擴(kuò)大在云存儲解決方案領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我對英特爾大連工廠的執(zhí)行工作感到滿意,并為進(jìn)一步擴(kuò)展我們的運(yùn)營,實(shí)現(xiàn)規(guī)模效益來滿足客戶日益增長的需求而倍感興奮!

大連市委常委、金普新區(qū)管委會王強(qiáng)主任在發(fā)布會說,“從2015年10月英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠升級為世界最先進(jìn)的非易失性存儲制造工廠,到去年7月英特爾大連工廠項(xiàng)目提前投產(chǎn),今天又宣布大連工廠的擴(kuò)建計(jì)劃,一年一個大臺階,既是英特爾在大連加快發(fā)展的一個重要里程碑,也標(biāo)志著大連市集成電路產(chǎn)業(yè)越上新高度。 這是大連市和英特爾多年來密切合作取得的又一雙贏成果。近期遼寧省自貿(mào)區(qū)大連片區(qū)在金普新區(qū)掛牌成立。自貿(mào)區(qū)的啟動運(yùn)作必將為包括英特爾在內(nèi)的所有企業(yè)提供更加便利、優(yōu)越和充滿競爭力的投資環(huán)境,進(jìn)一步助推大連市集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的成長壯大、將大連打造成世界級的存儲制造中心。”

英特爾大連工廠于2007年奠基,2010年正式投產(chǎn)。2015年10月,英特爾宣布投資55億美元,升級大連工廠為非易失性存儲技術(shù)制造基地。英特爾大連工廠是綠色制造的典范。工廠在設(shè)計(jì)、建造和運(yùn)營上都遵循最高級別的環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),在節(jié)水改造方面樹立了標(biāo)桿。與此同時,英特爾大連工廠也非常重視本土人才培養(yǎng),并與當(dāng)?shù)卣、學(xué)校、產(chǎn)業(yè)鏈伙伴以及社區(qū)展開廣泛合作推動可持續(xù)發(fā)展,連續(xù)多年榮獲“大連市企業(yè)履行社會責(zé)任最佳外商投資企業(yè)”稱號。這一系列的持續(xù)投入,帶動了區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,為高端制造持續(xù)注入新動力。

“中國是制造大國,也是數(shù)據(jù)大國,英特爾致力做中國的高價值合作伙伴,不斷推動技術(shù)創(chuàng)新,和產(chǎn)業(yè)深度合作。”英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭表示,“英特爾將非易失性存儲技術(shù)落地到中國,不僅大力支持了大連高端制造業(yè)的發(fā)展。隨著產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大,也能更好地滿足數(shù)據(jù)洪流時代中國及全球市場對高端存儲創(chuàng)新的需求!
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